功率模块的过电流保护.pdfVIP

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  • 2017-09-09 发布于湖北
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功率模块的过电流保护

沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 功率模块的过电流保护 作者:林 勇 O 引言 目前,功率模块正朝着集成化、智能化和模块化的方向发展。功率模块为机电一体化设 备中弱电与强电的连接提供了理想的接口。 在任何运行状态下,功率模块都需要受到保护,以避免其承受不允许的电流应力,也就 是说,避免功率模块的运行区超出所给定的安全工作区。 超出安全工作区运行将导致功率模块受损伤,其寿命会由此而缩短。情况严重时还会立 刻导致功率模块的损坏。 因此,最重要的是先检测出临界的电流状态和故障,然后再去恰当地响应它们。 本文的叙述主要是针对 IGBT 的过电流保护,但是,也可以类推应用到功率 MOSFET。 1 故障电流的种类 故障电流是指超过安全工作区的集电极或漏极电流。它可以由错误的控制或负载引起。 故障电流可通过以下机理导致功率半导体的损坏; 1)由高功率损耗导致的热损坏; 2)动态雪崩击穿; 3)静态或动态的擎住效应; 4)由过电流引起的过电压。 故障电流可进一步划

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