高压退火对065pmn-035pt 薄膜结构、形貌及电学性能的 - 物理学报.pdfVIP

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2017-09-02 发布于天津
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高压退火对065pmn-035pt 薄膜结构、形貌及电学性能的 - 物理学报.pdf

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高压退火对065pmn-035pt 薄膜结构、形貌及电学性能的 - 物理学报

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 13 (2013) 130704 高压退火对0.65PMN-0.35PT 薄膜结构、形貌及电学性能的影响* 1† 1 1 2 1 3 郭红力杨焕银唐焕芳侯海军郑勇林朱建国 1) ( 长江师范学院, 凝聚态物理研究所, 重庆 408100 ) 2) ( 盐城工学院, 材料科学与工程学院, 盐城 224051 ) 3) ( 四川大学, 材料科学与工程学院, 成都 610064 ) ( 2013 年1 月28 日收到; 2013 年3 月19 日收到修改稿) 利用射频磁控溅射技术在LaNiO /SiO /Si(100) 基底上制备了厚度约为250 nm 的0.65PMN-0.35PT(PMN-PT) 3 2 薄膜. 研究高压氧氛围退火方式对PMN-PT 薄膜晶体结构、形貌以及电学性能的影响. 经过XRD 测试发现, 在高压氧气氛围中, 温度为400 ◦C 下退火后的PMN-PT 薄膜具有纯的钙钛矿相结构, 具有完全的(100) 择优取向, 且衍射峰尖锐, 表明经过高压退火后的薄膜结晶极为充分. SEM 表面形貌测试结果显示, 经高压退火处理的PMN-PT 薄膜表面呈现出棒状或泡状的形貌. 铁电性能测试表明: 氧气氛围压强4 MPa, 退火时间4h 的PMN-PT 薄膜样品具有较 2 好的铁电性能, 其剩余极化强度P 达到 10.544 C/cm , 且电滞回线形状较好, 但漏电流较大, 这可能是由于其微结 r 构所导致. 同时介电测试发现: PMN-PT 薄膜样品具有极好的介电性能, 其在 1 kHz 下测试的介电常数εr 达到913, 介电损耗tgδ 较小, 仅为0.065. 关键词: 射频磁控溅射, 高压退火, 0.65PMN-0.35PT, 介电 PACS: 07.90.+c, 07.35.+k, 77.55.+f, 77.22.Ch DOI: 10.7498/aps.62.130704 相界(morphotropic phase boundary, MPB)4−6 . 成分 1 引言在MPB 附近的PMN-PT 铁电体有异常高的介电和 78 压电性能 , 是制造多层陶瓷电容器、微位移驱近年来钙钛矿结构铌镁酸铅Pb(Mg13Nb23) 动器、致动器以及电光学器件等的理想材料9−11 . O3 (PMN) 弛豫铁电体因其具有优异电学性能而受一般来说, PMN-PT 薄膜可以应用在大规模集成电 12 ◦ 到人们的重视 . PMN 居里点在−10 C 左右, 室路上用作微观器件. 而最为常用的衬底材料包括温下为赝立方结构、空间群为Pm3m. 由于PMN Si(100) 和Pt/Ti/SiO /Si(100) 等, 便于和其他器件的