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反相器 功 能： vI vB 低电平 高电平 高电平 低电平 11.3.2　MOS 反相器 一、简单的 MOS 反相器 　　V 为 N 沟道增强型场效晶体管，开启电压 VT????4 V。 工作原理： 　　vI???0 时，VGS ?? ?VT，V 截止，vO???VDD ??20 V，为高电平； 　　vI???20 V 时，VGS ? VT，V 导通，vO???VDD???iD RD???0.2 V，为低电平。 功能： vI vB 低电平 高电平 高电平 低电平 反相器 缺点： 　　为满足 vO 为低电平，当 vDD、iD 一定时，由 vO = vDD – iD RD，RD 大些好；但当 vO 恢复为高电平时，由于寄生电容 CL 的存在，充电时间常数 ? = RD CL 就很大，波形失真且影响工作速度。解决办法—— 采用 MOS 管作负载。 二、用 MOS 管作负载的 MOS 反相器 1．电路 　　V1 ——驱动管，作开关用，跨导较大； 　　V2 ——负载管，作负载用，始终工作在饱和区，跨导较小。 2．工作原理 　　vI ???vGS VT1 时， V1 导通，vO 为低电平； vI? ??vGS VT1 时，V1 截止，vO 为高电平；这时 V2 饱和导通，等效电阻 RDS 小，? ???RDS CL 小，提高了工作速度。 3．缺点 　　V2 始终导通，功耗大，不利于集成，解决办法 — CMOS 反相器。 三、CMOS 反相器 用 N 沟道和 P 沟道 MOS 管联合组成反相器。 特点： (1)VN －N 沟道 MOS 管，作驱动管。 VP－P 沟道 MOS 管，作负载管。 　　(2)栅极相连接输入，漏极相连接输出。 (3)　VDD |VPT| + VTN 工作原理： vI = 0 (低电平)，VGS1 VTN ，V1 截止； 但 |VGS2| |VTP|，V2 导通，vO 为高电平。 　　vI = 1 (高电平)，VGS1 VTN ，V1 导通； 　　但 |VGS2| |VTP|，V2 截止，vO 为低电平。 功能： vI vO 0 1 1 0 反相器 优点： 无论输出高、低电平，均有一管导通，充放电时间常数 ? 小，工作速度快； V1、V2 必有一个截止，功耗低。 本章小结 模拟电路与数字电路的主要区别 内容 模拟 电路 数字 电路 处理 对象 模拟 信号 数字 信号 典型 信号 正弦波 矩形波 任务 不失真地放大 实现逻辑功能 分析方法 图解法、微变等效电路 逻辑代数 器件工作的区域 放大区 截止区 饱和区 基本电路 电压放大 功率放大 组合电路 时序电路 微分电路与积分电路的比较 vO 从 R 输出 特 点 vO 从 C 输出 三角波 尖脉冲 输 出 RC 电路 RC 积分电路 RC 微分电路 ? tp (?≥3 tp) 条 件 ? tp (? ≤ 0.2tp) 功 能 突出恒定量，压低变化量 突出变化量，压低恒定量 电 路 判断三极管工作状态的条件(NPN 管) ? 电流条件 偏置条件 截 止 IB ≤ 0 VBE 0 VBC 0 放 大 0 IB ≤ IBS VBE VT； VBC 0 饱 和 IB IBS = ICS / ? VBE 0.7 V(Si)； VBC 0 VBE 0.3 V(Ge) 几种反相器比较 反相器 电路特点 缺 点 优 点 晶体管 反相器 为分立元件反相器，提高输入端抗干扰能力，基极需另接电源 体积大，功耗大 电路简单，可靠 MOS 反相器 MOS管为驱动器， 负载电阻较大 速度低 耗电比晶体管反相器省 MOS管作负载 负载为MOS管，跨导较小 负载管一直导通，功耗较大 速度较高 CMOS 反相器 NMOS管与 PMOS管互补 速度快，功耗低，易集成 速度快，功耗低， 易集成 学时分配 序 号 内 　　 容 学 　 时 1 11.1　脉冲基础知识 2 2 11.2　晶体管开关特性 2 3 11.3　反相器 2 4 本章小结 2 5 本章总学时 8 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 *