半导体传感器物理基础.pptVIP

;第二章 半导体传感器的物理基础;2.1 晶列与晶面的取向 2.2 能带结构 2.3 载流子浓度 2.4 pn结 ;2.1 晶列与晶面的取向;(1)平行晶列组成晶列族，晶列族包含所有的格点； (2)晶列上格点分布是周期性的； (3)一族晶列中，各晶列上格点分布都是相同的； (4)在一平面内，同族的相邻晶列之间的距离相等。 （5）有无限多族平行晶列。 （6）通过一格点可以有无限 多个晶列，其中每一晶列都有一族平行的晶列与之对应。 ;; 确定晶向指数的三个步骤：1)先做一条平行于该晶向的直线，并使其通过晶胞原点；2)在这条直线上任取一点，求其在x、y、z轴上的三个坐标，一般选取结点；3)相乘或相除同一整数，化为最简整数比，即为晶向指数。;(1)晶列指数一定是一组互质的整数； (2)晶列指数用方括号表示[ ]； (3)遇到负数在该数上方加一横线。; 由于对称性的关系，有若干个晶向常常是等同的。它们构成一个晶向族，用uvw来表示这一系列的晶向——等效晶向。 例如：对于立方晶系 100包含[100],[001],[010], , , 共六个晶向；（沿立方体的六个边的晶向，晶体在这些方向上的性质是完全相同）。 ;2、晶面及密勒指数;(3)同一晶面族中的每一晶面上，格点分布情况相同；; 某晶面在三个晶轴上的截距的倒数之比。 确定密勒指数的三个步骤： 该晶面与x, y, z 轴上的截距分别为r, s, t个单位，分别取其倒数1/r, 1/s, 1/t； 对这三个分数进行通分，用分母的最小公倍数做分母； 通分后三个分数的分子就是晶面指数(h k l);两种特殊情况： 1)当晶面和晶轴平行时，认为：该晶面与晶轴在无穷远处相交，截距∞，1/∞=0，因此晶面在这个晶轴上的密勒指数为0，(110)表示与Z轴平行的晶面，(100)表示平行于YZ平面的晶面，(001)表示平行于XY平面的晶面。 2)如果晶面与某一晶轴的负方向相交,则相应的指数上加以负号，如 ; {h k l }表示一个晶面族，晶面族内的各个晶面彼此等同，这是由于晶体结构上对称性决定的。 如：{100}包含(100),(010), , ,(001), 共六个晶面。;例: 在立方晶系中画出(210)、 晶面。;2.2 能带结构;;2、电子共有化运动使能级分裂为能带;能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。;3 . 能带中电子的排布;例如，1ｓ、2ｓ能带，最多容纳 2N个电子。;4 .半导体中电子状态与能带;微观粒子具有波粒二象性，表征波动性的量和表征粒子性的量之间有一定的联系。 对于一个质量为m0，速度为 的自由电子，其动量和能量为： 该自由粒子可用平面波表示为： ;将上述式子联系起来，则有：;电子在周期场中的 运动;满足（1）式的定态波函数必定具有如下的特殊形式; (a) E(k)-k关系 (b) 能带 (c) 第一布里渊区 晶体中电子的E(k)-k关系; 在 k=n/2a (n=±1，±2…)处能量不连续，出现允带及禁带。 允带的k值位于下列几个称为布里渊区的区域中: 第一布里渊区 -1/2ak1/2a 第二布里渊区 -1/ak-1/2a，1/2ak1/a 第三布里渊区 -3/2ak-1/a ，1/ak3/2a;考虑到晶体是有限的，常采用周期性边界条件：;推广到三维： 是半导体晶体的线度 ;K空间中，沿[100]方向记作Δ， 沿[110]方向记作 沿[111]方向记作;半导体中电子运动 有效质量;能带底附近E(k);实际的三维情况下 k空间如图所??? k空间任一矢量代表波矢k ;当E(k)为确定值时，多组不同的(kx,ky,kz)构成一个封闭的曲面，在这个面上能值相等，称等能面 （1）式等能面是半径为 的一系列球面 ;对于各向异性的晶体，E(k)与k的关系沿不同k方向不一定相同 不同k方向电子有效质量不同，能带极值不一定位于k＝0处;硅的导带结构;砷化镓的能带结构： ?导带极小值位于布里渊区中心k＝0处,等能面为球面,导带底电子有效质量为0.067mo ?在111方向布里渊区边界还有一个导带极小值，极值附近的曲线的曲率比