不同工作压强下icp刻蚀对s ic表面损伤的研究 - 福州大学学报.pdfVIP

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2017-09-02 发布于天津
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不同工作压强下icp刻蚀对s ic表面损伤的研究 - 福州大学学报.pdf

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不同工作压强下icp刻蚀对s ic表面损伤的研究 - 福州大学学报

35 ( ) Vol. 35 Su . 2007 8 Journal of Fuzhou Un iversity( Natural Science) Aug. 2007 : 1000- 2243( 2007) S0- S008- 03 ICP SiC , , , , , (, 361005) : CF /O , ICP S iC 4 2 . , , ICP SiC, . XPS FO , , . : SiC; ICP; ; : O48 : A Surface dam a ge of inductively coup led p la sm a etched S iC on d ifferen t w ork pressure U L Y ing, PANG A i- suo, YANG W ei- feng, CHEN X ia- ing, ZHU Hu i- l,i WU Zheng- yun ( De artm ent of Physics, X iam en University, X iam en, Fujian 361005, Ch ina) Abs tract: 4H silicon carbide ( SiC) w as dry etched in an inductively cou led lasma ( ICP) system, using CF /O gasm ixtures. Etch rate and surface damage induced by ICP etch ing have been investiga 4 2 ted as a function of the w ork ressure. W e found that the etch rate of SiC initially increased slightly and then decreased ra idly w ith the increase ofw ork ressure. It w as also observed that the F and O radical concentration on the etched surface, wh ichw as obtained by X- ray hotoelectron s ectrosco y measurements, increased. The surface damage induced by ICP etch ing increased w ith the w ork res sure. Keywords: SiC; ICP etch; w ork ressure; surface damage SiC SiG aAsGaPInP [ 1] 6 . ( 2. 3~ 3. 3 eV ) ( 2. 5 10 V / 7 cm)( 2 10 cm /s)( 4. 9W /( cm K) ), . SiC, . SiC , , . SiC , [ 2] [ 3] [ 4] : ( R IE)