在一切讲求e化的世代,电子产品几乎围绕在我们的周遭,成为我们生活 .DOC

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在一切讲求e化的世代,电子产品几乎围绕在我们的周遭,成为我们生活

最省電的SG3842G 如何讓以3842設計的SMPS空載時小於0.75W 作者:東方勞倫斯 , 德州蓋瑞 一.前言 在一切講求e化的世代,電子產品幾乎圍繞在我們的週遭,成為我們生活中的一部分。例如:筆記型電腦,手機,列印機,顯示器,TV,DVD/VCD….,這些電子產品,其電源或充電器,都是內建或外接式的,這些AC/DC power supply, Adapter或Charger因沒有開關可與電源線完全斷開,所以只要插在電源插座上就會耗電,因為我們有太多電器在不使用時仍然將插頭插在電源線上,使得這些電器產品持續消耗著電力,隨著新開發的電子產品普及化,我們所浪費的電力也愈來愈多。然而,在地球有限的資源下,我們不能無限制的耗盡能源,於是對於電源轉換器的要求也越來越嚴苛,希望將資源做最有效的運用。基於這個原因,歐洲於2001.1.1起,即對輸入功率小於75W的電源供應器在無/輕負載時最大功率損耗做了以下的規範: 在美國方面,由於美國國內一年浪費在電器電子產品的standby power上,大約有35億美金之多,因此美國布希總統於2001年7月簽署了一份行政命令,要求所有的聯邦政府機構,優先採購standby power低於1W的產品,由於聯邦政府機構為美國國內最大的消費團體,其影響力將迅速擴及所有電器電子產品供應商。 基於歐洲及美國此全球兩個最大的經濟區域已開始實施新的standby power能源法規,所以電源供應器設計者應設計出更節省電力的產品,以符合這個規範,所以將來的交流轉直流 (AC/DC) 的電源供應器可能都必須改用Switching mode power supply (SMPS)方式來設計,而傳統的被動式變壓器,因無法做到省電功能,會被加速取代。 以往低瓦特數的SMPS大多以Flyback架構設計,其PWM控制器大多是以UC384X系列最為常見,因為它是屬於Current Mode PWM,且價格低廉、應用電路多且穩定,不過它目前面臨了一個危機,以它原有的製程與特性,若不增加額外的電路輔助,空載時不可能低於1W,更何況是0.75W以下。實際上,由於半導體製程的進步及電路的創新,新一代的384x在規格及功能上,已大幅超越傳統的UC384x。以最新的SG3842G應用於60W (19V/3.16A) 的adapter為例,可輕易的達到standby power 0.75W@240Vac以下;下文我們將針對這部分做探討。 二. 耗電來源 3842在flyback的應用電路中,空載時的耗電來源可分為兩大類: 隨輸入電壓升高而損耗電量隨之增加: 啟動電阻 過電流補償電阻 MOSFET(Coss) 整流二極體的RC Snubber 隨操作頻率升高而損耗電量增加: Flyback transformer RCD snubber MOSFET(Ciss,Coss) PWM IC 由此可知,降低3842的啟動電流及工作電流對於減小功率散逸有相當程度的幫助,這部分可由更改成SG3842G來獲得解決,使這兩個參數分別降到30uA和3.5mA以下 (傳統UC384x的啟動電流及工作電流分別為500uA及11mA)。這樣啟動電阻可以加大至1.5MΩ以上,啟動電阻損耗也由傳統的1.4W降至90mW; Vcc電容亦可由傳統的100uF降至10uF以下。 另一個耗電的電阻是用在3842的SENSE pin,主要的功能是使90Vac和264Vac輸入時的power limit能維持在一定的誤差範圍內。Flyback converter的,雖然輸出電壓(功率)由迴授路徑決定tON來限制,但是Pout_max由tON_max決定,而tON_max由VSENSE=Ip×Rs=1V所需的時間而定;此外3842的反應(延遲)時間tD也影響最大輸出功率。當IP×RS≧1V時Sense pin將偵測到過電流而將Output pin關掉。在這段反應時間tD,MOS FET還是Turn on同時繼續儲存能量在變壓器上。所以實際的Turn on的時間等於tON+tD,因此,真正輸出的功率變成: ,雖然tD的時間並不長,一般約在250 ~ 300ns,由於工作頻率高,有很多影響來自於tD,因為工作週期T很小,所以tD相對變的很重要,再加上為了濾除MOSFET turn on瞬間的電流突波,又多了一級RC的延遲(這也是目前許多Current Mode PWM在SENSE pin加了leading edge blanking的原因),因此必須從輸入電壓VIN對Sense pin做適當的補償,這樣可使最大輸出功率不受輸入電壓影響。如圖所示: 電阻RIN之功能可以補償輸入電壓和延遲時間 tD 之間所造成的差異。所以縮短延遲時間tD,則電阻RIN大約可加大到1.0 ~ 3

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