第1章 常用半导体器件.ppt

1.1.1 本征半导体 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性： ③ uGS和uDS同时作用时 当 UGS(off) uGS0 时，形成导电沟道，对于同样的uDS ， iD的值比uGS=0时的值要小。在预夹断处, uGD=uGS-uDS = UGS(off) 。 当uGD = uGS - uDS UGS(off) 时，即uDS uGS - uGS(off) 0，导电沟道夹断， iD 不随uDS 变化 ； 但uGS 越小，即|uGS| 越大，沟道电阻越大，对同样的uDS ， iD 的值越小。所以，此时可以通过改变uGS 控制iD 的大小， iD与uDS 几乎无关，可以近似看成受uGS 控制的电流源。由于漏极电流受栅-源电压的控制，所以场效应管为电压控制型元件。 N G S D + UGS P + P + UDS + - A 1.4.1 结型场效应管（JFET） 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受uGS控制 预夹断前iD与uDS呈近似线性关系；预夹断后,iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 1.4.1 结型场效应管（JFET） 2. 转移特性 1. 输出特性 UGS(off) iD iD 夹断电压 uGD=UGS(off)时称为预夹断 1.4.1 结型场效应管（JFET） 三、 JFET特性曲线 三个区： 可变电阻区 恒流区 夹断区 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 1.4.1 结型场效应管（JFET） PNP型： - 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 集电极 发射极 基极 P N P b e c - - E C B 电路符号: ib ic ie 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电区面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 1.3.2 晶体管的电流放大作用 一、 晶极管的工作原理 三极管放大的外部条件： B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.2 晶体管的电流放大作用 二、 晶体管内部载流子的运动 少数载流子的运动 基区空穴的扩散 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 IB IC IE 1.3.2 晶体管的电流放大作用 三、晶体管的电流分配关系 IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 IB Ic IE 1.3.2 晶体管的电流放大作用 四、晶体管的共射电流放大系数 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 ? 只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 为共基电流传输系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.995。 IB的改变控制了IC的变化，体现了三极管的电流控制功能。 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 输入特性曲线： iB=f(uBE)? uCE=常数 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在