模电22(JFET电路).ppt

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 JFET (N型沟道) VP(-) VDS(+) JFET (P型沟道) VP(+) VDS(-) 增强型MOSFET (N型沟道) 耗尽型MOSFET (N型沟道) 增强型MOSFET (P型沟道) 耗尽型MOSFET (P型沟道) VT(+) VDS(+) VP(-) VDS(+) VT(-) VDS(-) VP(+) VDS(-) P237 表5.5.1 注： 电流假定正向 为流进漏极。 各种场效应管 的特性比较 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 1. JFET小信号模型 （1）低频模型 （2）高频模型 VDS = VDD - ID (Rd + R ) VGS 2. JFET共源电路分析 （1）静态分析 分析过程与MOS管类似，先假设管子工作在饱和区，求出漏极电流、漏源电压，再看漏源电压是否满足假设条件。 （2）动态指标分析 中频小信号模型 1）中频电压增益 2）输入电阻 3）输出电