常用电力电子器件原理及选择.pptVIP

第二章常用电力电子器件原理及选择 [教学目的与要求]： 了解变频器中使用的功率半导体器件的种类 掌握各类半导体器件的结构和工作原理 了解它们的应用特点 [本章重点]： 1．各类半导体器件的工作特点 2．智能电力模块的结构与工作特点 2.1 变频器的主电路结构 变频器输出电路-三相逆变器的工作过程 逆变器中的关键问题——换流 实现方法——电力电子器件 基本要求：能够承受足够大的电压和电流 允许频繁地开关，且控制方便 2.2 常用的电力电子器件 SCR——可控硅（晶闸管) GT0——门极可关断晶闸管 GTR——大功率晶体管 IGBT——绝缘栅双极型晶体管 IGCT——集成门极换流晶闸管 MOSFET——金属氧化物场效应管 SIT——静电感应晶体管 SITH——静电感应晶闸管 MCT——控制晶闸管 IPM——智能电力模块 一、晶闸管 1.一般晶闸管 电路1.串联电感式电压型逆变器 L——换流电感 C——换流电容 VD——回馈二 极管 R——换流衰减 电阻 VT——主晶闸管 电路2.带辅助晶闸管换流的电压型逆变器 VT1’一VT6’---辅助晶闸管 CA~CC---换流电容器 L1~L6---换流电感 LA~LC---di/dt抑制电感 2.门极可关断晶闸管(GTO) 门极可关断晶闸管(GTO)具有普通晶闸管(SCR)的全部优点，如耐压高，电流大，控制功率小等。但它具有自关断能力，属于全控器件。GT0的外形和SCR一样，内部也是四层三端器件；但制作工艺和SCR不同，因而具有灵敏度较高的自关断能力。 缺点：开关频率不高，一在2 kHz以下。 二、功率晶体管(GTR) 三、功率场效应管 功率场效应晶体管的工作特点 ①控制方便，驱动电路简单。 ②自关断能力强，因而开关频率高(≤20 MHz)。 ③输入阻抗极高，可以用TTL器件或CMOS器件直接驱动。 (a)直接驱动 (b)变压器隔离驱动 (c)光隔离驱动 四、绝缘栅双极晶体管(IGBT) 结构：由场效应晶体管(MOSFET)和功率晶体管(GTR)模块组合而成 工作特点——与场效应晶体管类同，属于电压控制型 ①输入阻抗高，开关速度快(开关频率高≤20 kHz； ②电流波形比较平滑，电动机基本无电磁噪声，电动机的转矩增大； ③驱动电路简单，已经集成化。 五、集成门极换流晶闸管(IGCT) 集成门极换流晶闸管(IGCT)将门极驱动电路与门极换流晶闸管(GCT)集成于一体，门极换流晶闸管(GCT)是在可关断晶闸管(GTO)的基础上开发出来的一种新的电力半号器件。 六、 MOS控制晶闸管 MOS控制晶闸管(MCT)是将MOSFET与晶闸管复合而得到的器件 七、电力半导体器件的应用特点 名称 文字符号 控制方式 最高电压、电流及开关频率 晶闸管 TH(SCR) 电流 最高电压l 000～4000 V 最大电流l 000～3000 A 最高频率l～10 kHz 功率晶体管 GTR 电流 最高电压450～1400 V 最大电流30～800 A 最高频率l0～50 kHz 电力场效应管 MOSFET 电压 最高电压50～1000 V 最大电流l00～200 A 最高频率500 kHz～200 MHz 绝缘栅双极晶体管 IGBT 电压 最高电压l 800～3300 V 最大电流800～1200 A 最高频率l0～50 kHz 集成门极换流晶闸管 IGCr 电压 最高电压4500～6000 V 最大电流4000～6000 A 最高频率20～50 kHz MOS控制晶闸管 MCT 电压 最高电压450～3300V 最大电流400～1200 A 最高频率l00 kHz～1 MHz 八、智能电力模块(IPM) 智能电力模块(IPM)是将用于逆变的半导体器件(目前，多用IGBT)和其配套的驱动电路、保护电路、检测电路以及某些接口电路集成在一起的电路模块，是电力集成电路PIC的一种。智能电力模块中含过电流、短路、欠压和过热等保护电路。这些保护电路起作用时，输出故障信号，并处于关断状态。