第十三章 EM636165VE-6中文资料(Etron Technology)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.47万字
约 5页
2017-07-07 发布于北京
举报
版权申诉

第十三章 EM636165VE-6中文资料(Etron Technology)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EM636165 1Mega×16同步同步DRAM （（SDRAM））初稿（版本初稿（版本1.8,11/2001））特征特征主要规格主要规格快速存取时间：4.5/5/5/5.5/6.5/7.5 NS EM636165 -5/55/6/7/7L/8/10 快时钟速率：200/183/166/143/125/100兆赫 tCK3 时钟周期时间（分钟） 5/5.5/6/7/7/8/10 ns 自刷新模式：标准型和低功耗 tRAS 行活动时间（最大） 30/32/36/42/42/48/60 ns 完全同步操作 tAC3 从CLK访问时间（最大）4.5/5/5/5.5/5.5/6.5/7.5 ns 内部流水线结构 tRC 行周期时间（分钟） 48/48/54/63/63/72/90 ns 512K×16位×2插槽可编程模式寄存器 - CAS ＃延迟：1,2或3 订购信息订购信息 - 突发长度：1,2,4,8,或整页 1,工作温度：0〜70°C - 突发类型：交错式或线性突发零件号零件号频次频次包裹包裹 - 突发停止功能 EM636165TS/VE-5 200MHz TSOP II ,VFBGA 通过LDQM和UDQM控制单个字节 EM636165TS/VE-55 183MHz TSOP II ,VFBGA 自动刷新和自刷新 EM636165TS