第十章 半导体量子点激光器研究进展.pdfVIP

!!!!! 评 述 ! !!!! 半导体量子点激光器研究进展# 王 占 国 （中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室 北京 !#$ ） 摘 要 首先简要地回顾了半导体激光器发展的历史和量子点激光器所特有的优异性能，进而介绍半导体量子点 及其三维量子点阵列的制备技术 然后分别讨论了量子点激光器（能带）结构设计思想，实现基态激射所必须具备的条 % 件和近年来国内外半导体量子点激光器的研究进展% 最后分析讨论了量子点激光器研制中存在的问题和发展趋势% 关键词 应变自组装量子点，量子点激光器 !#$%’()%*+ ,)-’*)# (* .-!+! ()*+ ,-./0+12 （ ， ， ， ） !#$%$%’ $( )*+,-$./0-$% 1*%,23 )-,*.-* 4.3,0* $( )*+,-$./0-$%3 56,.*3* 7-/*+’ $( )-,*.-*3 8*,9 ,.: !#$ ， （ ） -/012341 3-4 -567289 2: 64;52/=1728 .648 =52=46 ./= 46?45.9 @1./71; =27 AB .6486 C57- 7-458 61?48528 .60 ， 5/D -.8 .84 E854:9 84F54C4= % 39?5. 74-/5@146 :28 :.E85.75/D 64;52/=1728 AB6 ./= 7-8440=5;4/652/. AB .88.96 .84 =4685E4= % G.85216 5=4.6 :28 7-4 E./= 4/48D9 =465D/ ./= 7-4 2/=5752/6 :28 84.5H5/D .65/D F5. 7-4 ， ， D821/= 67.746 2: AB .6486 .84 ?8464/74= ./= 844/7 4I575/D 8464.8- .=F./46 .84 61;;.85H4= 5/ =47.5 % J5/.9 7-4 K49 ， ?82E4;6 :28 5;?82F5/D 7-4 ?82?487546 2: AB .6486 :17184 784/=6 ./= ?826?476 :28 7-56 /4C 79?4 2: .648 =52=4 .84 =560 1664= % ， 567 892:0 64:0.664;E4= @1./71; =276 @1./71; =27 .6486 阱激光器（ ）的研制成功，这是半导体激光器 A(PB ［］ ! 发展历史上又一个里程碑，具有更重要的意义 载流 ! 引言 % 子受到一维量子限制的A(