随机存储器RAM资料.pptVIP

* * 5.2 随机存储器RAM 5.2.1 RAM的分类 随机存储器RAM按制造工艺不同可分为双极型和MOS型两大类。 双极型RAM用晶体管触发器作为基本存储电路，故存取速度高，但功耗大，集成度较低。双极型 RAM主要用于高速微型计算机，也用作高速缓冲存储器Cache。 MOS型RAM是用MOS管制成的RAM，与双极型RAM相比，其集成度较高而速度较低。 1．静态RAM（SRAM——Static RAM） SRAM是用MOS管构成的R-S触发器作为基本存储电路，触发器的两个稳态分别表示存储内容为0和1。 SRAM只有在写入新的数据时触发器的状态（信息）才变化，读操作不会改变其状态（信息）。但一旦SRAM芯片失电，其上所存储的所有信息将全部丢失，所以称SRAM上的信息是易失性、挥发性的。 SRAM的特点：速度快，外围电路简单，但集成度低（存储容量小），功耗大。 2．动态RAM（DRAM——Dynamic RAM） DRAM是用MOS管栅极—衬底间的分布电容来存储信息的. 由于存在泄漏电流，电容上储存的电荷（信息）不能长期保存，需要定期进行刷新，因而外围电路比较复杂。显然，DRAM上的信息也是易失性的。 DRAM的特点是集成度高（存储容量大），功耗低，但速度慢，外