清洁半导体表面课件.pptx

清洁半导体表面;引言;6.1 Si(100)面6.1.1 原子结构;以二聚体模型讨论Si(100)面再构;对称和非对称二聚体间能量相差很小，但是若非对称翘曲的二聚体更为有利。图6.1.2是一个非对称翘曲二聚体模型。 Chadi从能量极小理论计算得：d1=2.38?, d2=0.20?, d3=0.48?。 d1是二聚体键长，d2是第一层平均向内弛豫。 杨威生用LEED研究得： d1=2.54?, d2=0.11?, d3=0.40?， d4=0.60?；还证明在形成非对称二聚体再构时还产生很深的弛豫，深度可达4~5原子层。;利用STM对Si(100)面研究;6.1.2 Si(100)面邻位面;各台阶能量大小顺序：E(SA) E(DB) E(SB) E(DA). SL台阶是亚稳定的，DL台阶是稳定的，但DA只是理论存在。 各种不同台阶结构的产生取决于热处理温度θ和偏位角θ 。参考图6.1.5. 若考虑了应变弛豫和台阶热粗糙化因素，SL台阶在表面转化为DL台阶表面时存在一个临界角θc。 θc ≈20， SL台阶在表面转化为DL台阶表面。 θ =2.50时，存在SL和DL的混合相。 ;6.1.3 Si(100)面电子性质;6.2 Si(111)面6.2.1 Si(111)-(1×1)与Si(111)-(2×1) ; Si(111)-(2×1)再构的翘曲模型; “π键链重构”模型;6.2.2 Si(111)-(7×7);Si(111)-(7×7)的电子结构与原子结构;Si(111)-(7×7)的电子结构与原子结构;6.2.3 Si(111)的临位面;扫描隧道显微镜  Scanning Tunneling Microscope (STM);STM的发明;扫描隧道显微镜的基本原理;隧道电流I与间距S成关系，当距离减小0.1nm，隧道电流即增加约一个数量级。 根据隧道电流的变化，我们可以得到样品指数表面微小的高低起伏变化的信息，如果同时对x,y方向进行扫描，就可以直接得到三维的样品表面形貌图。;STM的结构;探针：隧道针尖大小、形状和化学同一性影响着STM图象的分辨率和图象的形状和测定的电子态。目前采用方法是先进行精细的机械研磨，再作电解研磨。 扫描机构：主要由压电陶瓷元件构成。控制加在压电陶瓷元件上电压的大小，可实现扫描范围的变化。 粗调定位器：是STM的重要组成部分，它把探针和试件表面的间距从几毫米缩小到1nm，并能保持试件的精确定位。通常采用三维压电惯性步进器作为粗调定位器。 振动隔离系统：有效的振动隔离是STM达到原子分辨率的必备条件之一。???绝振动的方法主要靠提高仪器的固有振动频率和使用振动阻尼系统。 电子学控制系统：控制探针和试件的距离变化驱动探针做x,y方向的扫描，提取处理隧道电流信号和陶瓷压电元件上的电压间信号，进行三维图象的显示。 ;STM的工作过程;STM的实验步骤;STM的扫描模式----恒电流模式 ;STM的扫描模式----恒高度模式 ;影响仪器分辨率和图像质量的因素;STM的应用;STM的应用;STM的应用;STM的优势与限制;STM的优势与限制