修正型同质双磊晶约瑟夫结.docVIP

改良型高溫超導同質雙磊晶約瑟夫結 國立清華大學物理所 E-mail: cchi@phys.nthu.edu.tw 一.引言 在高溫超導電性中缺陷扮演一個重要的角色一方面缺陷可作為磁場面的釘扎中心提高臨界電流密度另一方面缺陷也會在超導體中形成弱連結降低臨界電流密度晶界(grain boundary)或許是高溫超導體中最重要的缺陷它可視弱連結並用製作約瑟夫元件 起初晶界結(grain boundary junction) 是利用多晶材料中自然形成的晶界這種方法雖然簡單卻無法重複1988年時IBM發展出雙晶晶界結(bi-crystal grain boundary junction)特點是基板已定義出兩半部晶軸方向的夾角超導薄膜便成長在此基板上形成界面然而此種方式並不易發展作大型電路 另一種作晶界結的方式採用雙磊晶結構藉由成長中間層(intermediate layer)來控制晶軸方向通常中間層不具有超導性用以決定晶軸方向而有些中間層的目的則避免不同層間的化學反應並提供晶格常數的緩衝一般地說薄膜成長時的基板溫度氧氣分壓和基板表面性質都會影響中間層超導薄膜的晶軸方向雙磊晶晶界結(bi-epitaxial grain boundary junction)首先由Conductus[1,2]發展成功其結構為YBCO/CeO2/MgO/SrTiO3（450），YBCO/SrTiO3（00）】。在此CeO2可讓YBCO層的a-b平面旋轉450(相較於SrTiO3基板)此種雙磊晶結構雖然在作上較為雜但是由於我們可以任意決定晶界出現的位置故具有發展大型元件的潛力之後其它的雙磊晶結構也積極地的發展與設計中YBCO/CeO2/YSZ/MgO（450），YBCO/MgO （00） 】[3]，【YBCO/CeO2/YSZ/MgO （450），YBCO/CeO2/YSZ/PrBCO/MgO（00）】[4]，【YBCO(high-T)/YBCO(low-T)/YSZ（450），YBCO(high-T)/YSZ（00）】[5]，這些設計的目的在於得到更純淨的旋轉關係 二.理論簡介 高溫超導晶界結的電性決定於界面上兩旁晶粒的晶軸方向當晶軸夾角=α1 +α2）越大時臨界電流密度Jc則大幅的減小[6]其近似關係為對於由雙磊晶方法作的晶界結其晶軸夾角0，A/cm2，然而由於屬多層結構且在界面上有一高度差實際上的Jc會略小於估計值Sigrist及Rice寫下臨界電流密度和晶軸方向的關係式分別代表晶界面與兩旁晶粒a軸(或b軸)的夾角如圖所示由此式也可發現Jc不但與有關也和1和α2相關對於同一個值不同1、α2的組合也會影響Jc的大小 圖一：高溫超導晶界面上視圖。 另外值得注意的是微觀的晶界還存在有刻面(faceting)而非平滑的界面因此將刻面效應考慮後式子將改寫為刻面具有不同的晶軸方向也可能造成Jc具有負值一般而言值增加時含有大角度刻面的比例也會增加簡而言之和刻面這兩種效應會決定高溫超導晶界結的Jc數值與方向在晶界面上有不均勻的分[7]。 從c和磁場關係的量測上我們可以得到Jc在空間上的分布若是分布均勻的Jc會得到典型的Fraunhofer同質雙磊晶(homo-biepitaxial)YBCO(high-T)/YBCO(low-T)/YSZ，YBCO(high-T)/YSZ】幾年前開始於本實驗室研究發展。其優點是直接利用YBCO來作為中間層，簡化製程參數，避免不同磊晶YBCO為淡棕色，可以此作為蝕刻終點。原理係利用YBCO在YSZ上不同的成長溫度來控制兩者a-b平面0或450。在低溫(～6600)時，YBCO(a~b~3.9?)會直接成長在YSZ (a=b=5.139?)，故呈現450。在高溫時(7800C)，YBCO與YSZ之間形成一BaZrO3 (a=b=4.2?)作為緩衝層，抵消YBCO與YSZ之間的晶格差異，故呈00。此一結構在YBCO(high-T)/YBCO(low-T)/YSZ部分，基板與薄膜間呈現純淨450的旋轉，然而另一部份YBCO(high-T)/YSZ卻因為需加入蝕刻的製程，破壞基板表面性質，無法得到純淨的00旋轉。此處高溫是以8200成長，低溫是以6600成長。如圖2(b)，先在低溫成長一層YBCO，接著以離子研磨機蝕刻，最後成長高溫YBCO，得到的為450與00共存的介面，另外也嘗試採用EDTA蝕刻，皆無法獲得純淨的00 為了能深入研究刻面我們改良過去的雙磊晶結構發展出另一種為YBCO(8300C)/YBCO (6600C)/YSZYBCO(8300C)/YBCO(6600C)/YBCO(8300C)/YSZ】[8]，並量測在磁場下不同1（00≦α1≦450）樣品的Jc值 (a