晶振的制造工艺流程和失效模式分析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * 石英晶体振荡器的介绍 石英晶体振荡器的分类： 1 VDD: 工作电压；单位V； 一般范围：1.8~5.0V 2 Fr: 标称频率；单位：MHZ 3 Start time: 启动时间；单位ms(10ms max) 4 I: 工作电流；单位：mA 5 Tr: 波形上升时间；单位ns，指波形从10%的VDD上升至90%的VDD时的时间(10ns max) 6 Tf: 波形下降时间；单位ns，指波形从90%的VDD下降至10%的VDD时的时间(10ns max) 7 Duty: 波形对称性；单位：%即波形的前半周所花的时间占整个周期的百分比 8 Tran-state:三态功能；即具有三态功能的产品，在控制脚(1#)接入高电平(0.7VDDmin)或悬空时，振荡器会保持工作状态，在接入低电平(0.3VDDmax)时振荡器处于停振状态 晶振的应用 石英晶体谐振器的应用：石英谐振器一般作为电感元件在振荡电路中起稳频作用，而电路的其它元件均可等效为一个负载电容与石英谐振器串联或并联。负载电容的大小将对石英谐振器的等效参数及频率稳定度带来影响。 晶振的应用 石英晶体谐振器激励电平选择：一般取1~100uW为佳。激励电平的大小直接影响石英谐振器的性能，所以电路设计者一定要严格控制石英谐振器在规定的激励电平下工作，以便充分发挥石英谐振器的特点 激励电平过大， 会导致晶体本身永久损坏，引起等效电阻变大和Q值下降， 电阻温度特性和频率问题特性变得不稳定， 引发寄生振动。 激励电平过小，会导致不易起振，影响工作的温定和可靠性。 晶振的应用 石英晶体谐振器激励电平选择：一般取1~100uW为佳。激励电平的大小直接影响石英谐振器的性能，所以电路设计者一定要严格控制石英谐振器在规定的激励电平下工作，以便充分发挥石英谐振器的特点 激励电平过大， 会导致晶体本身永久损坏，引起等效电阻变大和Q值下降， 电阻温度特性和频率问题特性变得不稳定， 引发寄生振动。 激励电平过小，会导致不易起振，影响工作的温定和可靠性。 石英晶体谐振器的失效模式分析 石英晶体谐振器的失效模式及原因： 主要的失效模式为开路， 短路， 频率稳定性差等。 开路短路的主要源原因： 1，支架脱落。 2. 脱锡, 脱胶， 尽量提高锡量和胶量， 减少脱锡和脱胶的几率 3. 外壳封装系统机械损伤， 减少handling 问题造成的外壳机械损伤 石英晶体谐振器的失效模式分析 石英晶体谐振器的失效模式及原因： 频率稳定性差的原因：： 1，激励电平选用不合适，过高或者过低都会影响到频率的稳定性. 2，石英晶体表面为清洗干净， 致使镀银表面有斑痕 ，使用纯度高的纯水清洗， 使用无水乙醇进行脱水。 3，石英晶体表面不平整， 或者磨蚀处理时磨蚀过大， 造成镀银不连续。 对石英晶体要进行打磨处理， 控制磨蚀得质量， 防止腐蚀过度。 石英晶体谐振器的失效模式分析 提升石英晶体谐振器品质的一些措施： 一： 要保证晶片的光洁度,包括其边缘的光洁度. 二： 应采用深腐蚀工艺,确保破坏层被全部清除. 三： 保证晶片的清洁度,要对晶片进行多遍仔细清洗,对谐振件和外壳也要清洗. 四： 适当减薄电极膜的厚度,保证镀膜公差,尽量减小微调量. 五： 保证镀膜和微调真空度,镀膜前最好进行离子轰击清洗.镀膜过程中,晶片的温度,溅射的速度均对电极质量有影响. 石英晶体谐振器的失效模式分析 提升石英晶体谐振器品质的一些措施： 六： 镀膜前后,上架点胶后,微稠后应该进行高温烘烤,以消除应力的影响.烘烤老化最好在可抽真空充氮气的烘箱里进行. 七：导电胶的挥发物也会影响晶振的老化,点胶后至少应有一遍清洗. 八：为防止电极氧化,晶振壳内部应充高纯氮气. 九： 要保证晶振的高密封性和低漏气率 十：客户的使用状态,特别是激励功率的大小也会影响晶振的老化,激励功率大,则老化加大.在加工过程中,应尽量减少电极在空气里的暴露时间,防止晶片的再污染. Thank you ! * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *  晶振的制造工艺流程和失效模式分析 目　　　录 晶振的定义和分类 石英晶体谐振器的工作原理 石英晶体谐振器的制造工艺流程