模电单极型半导体三极管及其电路分析.ppt

2.3 单极型半导体三极管 及其电路分析 场效应管概述 2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性 2. 工作原理 2. 工作原理 例2.3.1 作业： *FET小结 2.3.4 场效应管基本应用电路及其分析方法 例2.3.2 例2.3.3 作业： 2.3 复习要点 2.3 复习要点 *讨论 讨论小结 讨论小结 续 讨论小结 续 零 零 当场效应管工作于饱和区时，对于耗尽型管有 对于增强型管有 IDO是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 基本应用：放大电路、电流源电路、 压控电阻、开关电路 分析方法：对FET 放大电路，通常用公式法计算 Q点，用小信号模型法进行动态分析； 也可用图解法。 场效应管的小信号模型 小信号模型 简化小信号模型 下图中，RG=1MΩ，RS=2kΩ，RD=12kΩ，VDD=20V 。FET的IDSS=4mA，UGS(off)=-4V，求 UGSQ、IDQ 和UDSQ 。 解： 设FET 放大工作，则可列出 代入元件参数，求解得两个解为 IDQ=4mA 和IDQ＝1mA 由IDQ=4mA，得UGSQ = -4mA×2kΩ=-8V，其值已小于UGS(off) ， 对应的IDQ应为零，故不合理，应舍弃。方程解应为 IDQ＝1mA UGSQ = -（1×2）V = -2V 例2.3.2 解续： 由电路可得 UDSQ =（20 -1×(12+2)）V= 6V 由于 UDSQ＞UGSQ -UGS(off) = -2V+4V = 2V 因此假设正确，计算结果有效，故 UGSQ =-2V ，IDQ＝1mA ，UDSQ = 6V 图示场效应管放大电路中，us =20sinωt mV，场效应管的IDSS=4mA，UGS(off)= -4V，电容CS对输入交流信号可视为短路，试求交流输出电压uo的表达式。 （1）求 IDQ 、gm 该电路的直流通路及其参数与例2.3.2中相同，故 IDQ＝1mA 由耗尽型场效应管 gm计算公式得 解： 例2.3.3 解续： （2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路 例2.3.3 解续： （3） 求uo uo= - gm ugs RD = - gm us RD 1. 了解场效应管的结构，理解其工作原理。 掌握场效应管的符号、伏安特性、工作特点与 主要参数。 3. 理解场效应管放大电路的分析方法。 主要要求： 场效应管的符号、伏安特性、工作电压极性、主 要参数、小信号模型。 重点： 通过多练习，做到根据转移特性曲线或输出特性 曲线，能判断管子类型，确定UGS(th) 、UGS(off) 、 IDSS 等参数。 　　试比较FET和BJT在正向控制作用、伏安特性、 放大区偏置电压要求、主要参数、基本应用电路、 简化小信号模型、分析方法等方面的异同。 * * * * * 2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性 2.3.2 结型场效应管的结构、工作原理及伏安特性 2.3.3 场效应管的主要参数 2.3.4 场效应管基本应用电路及其分析方法 场效应管概述 场效应管 FET (Field Effect Transistor)优点： (2) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、工艺简单、 功耗小、宜大规模集成。 (1) 输入阻抗高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 类 型 金属－氧化物－半导体型（MOSFET型即 Metal－Oxide－Semiconductor type Field Effect Transistor） 结型 （JFET型即 (Junction Field Effect Transistor) N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 一、N 沟道增强型 MOSFET 1. 结构与符号 简称NEMOS管 栅极绝缘，所以输入电阻很高，输入电流为零 （1) uGS 对输出电流iD 的控制作用 a. uGS = 0时 ，无导电沟道。 b. 给uGS 加正电压，当uGS ? UGS(th) 时，栅极表面层形成导电沟道 开始形成导电沟道所需的栅源电压称为开启电压（ UGS(th) ） （1) uGS 对输出电流iD 的控制作