第八章 大功率升压芯片—LV8050.pdfVIP

DC/DC 升压变换芯片 —LY8505 系列 一、 概述 LY8505 系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的VFM 开关型DC/DC 升压转换器。 该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压 采样电阻及VLX 限幅电路等组成。 LY8505 系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、 效率高等特 ，应用时外围只需接三个元件( 电感、电容及二极管各一个) 。 输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V 可选。 二、 芯片特性及主要参数 该设计产品 LY8505 系列 DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能： 1. 外接元件少： 需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感20～220 μH，钽电容47～ 200 μF，肖特基二极管。 2. 极低的静态电流：4uA 3. 低噪声及低纹波： 纹波典型值为 100mV 4. 驱动能力强： Vtyp=3.3V, Vin= 1.0V 时，Iout=100mA Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时，Iout=750mA 5. 启动工作电压低：最大 0.8V 6. 高效率： 85%(Typ) 7. 封装体积小： SOT89，SOT23 （窄体） 三、 应用范围 LY8505系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备： 1、电池供电设备的电源部分。 2 、玩具、照相机、摄像机、PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分。 3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。 四、 命名规则 内置MOS 管命名： 外置MOS 管命名： 2 五、 芯片模型及引脚介绍 本设计芯片封装样式如下图，其引脚说明亦如下表所示 引 说明： Vss:接地引 Lx:开关引 (或Ext 外置Tr) OUT:升压输出引 封装 PIN 1 PIN2 PIN3 SOT89 Vss OUT Lx （Ext ） SOT23 （窄体，见封装 Vss Lx （Ext ） OUT 结构尺寸） 六、 极限参数 对地输入电压VIN 10V 输出电流Iout 800mA 功耗Pd SOT-23 0.25W SOT-89 0.50 工作温度TA -40 ℃～145℃ 导线焊接温度 （10 秒） 260 ℃ 七、 工作原理 利用电感对能量的存储，并通过其与输入端电源共同的泄放作用，从而获得高于输入电压的输出电压。 如图： 3 八、 电性能参数 其主要参数测试如下表： 测试条件：VIN=2.2V ，Vss=0V ，Iload= 10mA ，Topt= 25 ℃，Cout=100 F(胆电容或使用100uF 电解电容和 0.1uF- 1uF 陶瓷电容并联) ，L= 47 H （内阻0.1 欧姆）。有特别说明除外。 LY8505-30 （电路见图一）： 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 2.925 3.000 3.075 V 开启电压