2009年电力电子技术第二章、第三章练习题及答案.docVIP

2009年电力电子技术第二章、第三章练习题及答案 1.常用的电力晶体管（GTR）有哪些类型？ 答：常用的电力晶体管（GTR）有单管GTR、达林顿管GTR和GTR模块等三大类。 2. 什么是电力场效应晶体管（Power MOSTET）？它有哪些主要优点？ 答：电力场效应晶体管是利用电场效应来控制半导体中电流的电力半导体器件，分为N沟道和P沟道两种类型，都有三个引脚，分别是门极G、源极S和漏极D。根据门极驱动信号的性质，电力场效应晶体管是属于电压控制器件，它不但有自关断能力，而且驱动功率小、驱动电路简单可靠、工作频率高、无二次击穿现象等优点。 3. 什么是绝缘栅双极晶体管（IGBT）？其有何突出的优点？ 答：绝缘栅双极晶体管（IGBT），是由电力晶体管（GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSTET）取长补短结合而成的双机理复合器件。IGBT将GTR和电力MOSTET各自的优点集于一体，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好、驱动功率小等特点，又具有通态电压低、阻断电压高、电流容量大等突出的优点。 4. 门极关断晶闸管（GTO）和普通晶闸管（SCR）同为PNPN结构，为什么GTO能够自动关断，而SCR却不能够自动关断？ 答：GTO和SCR同为PNPN结构，都可以等效为两个晶体管V1和V2复合构成。V1和V2分别具有共基极电流增益a1和a2，a1+a2=1是器件临界导通条件；当a1+a2＞1时，器件过饱和而导通；当a1+a2＜1时，器件不能维持饱和导通而关断。GTO之所以能够自动关断，而SCR却不能够自动关断，是因为在设计和工艺方面GTO与SCR有以下不同点： （1）GTO的a2＞a1，V2控制灵敏，易于关断； （2）器件导通时SCR为 a1+a2≥1.15，而GTO为a1+a2≈1.05，更接近临界饱和，为门极关断提供了有利条件； （3）多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2区的横向电阻很小，易于从门极抽出较大的电流而使GTO关断。 5. 试根据图2-1阐述IGBT的输出特性，并说明与GTR相比较有何异同？ 答：IGBT的输出特性，也称为伏安特性，它描述的是以栅射极电压UGE为控制变量时，集电极电流IC与极射极间电压UCE之间的关系。由图2-1可见，IGBT的输出特性与GTR的输出特性基本相似，不同的是IGBT内PN结的开启电压不为零，引起的输出特性曲线并不开始于坐标原点；IGBT的控制变量为栅射电压UGE，而GTR为基极电流IB。 IGBT的输出特性分为正向阻断区、有源区、饱和区，分别与GTR的正向阻断区、放大区、饱和区相对应。 第三章 1. 试简述驱动电路的基本任务。 答：驱动电路的基本任务是将电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为使电力电子器件开通或关断的信号；对半控型器件只需提供开通控制信号；对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 2. 简述GTO的驱动电路的主要特点。 答：GTO的驱动电路有如下主要特点： （1）GTO的驱动电路通常包括：门极开通电路、门极关断电路和门极反偏电路三部分。 （2）GTO开通时，驱动电路提供的驱动电流的前沿有足够的幅值和陡度，且一般在整个导通期间施加正门极电流； （3）GTO关断时，由驱动电路提供负门极电流，幅值和陡度要求更高，关断后还应在门阴极施加约负偏压以提高抗干扰能力。 3. 导致晶闸管过电压的原因各有哪些？应采取什么保护措施？ 答：导致晶闸管过电压的原因有外因过电压和内因过电压。其中外因过电压包括操作过电压和雷击过电压（浪涌过电压）；内因过电压包括换相过电压和关断过电压。针对过电压形成的不同原因，可采用不同的保护措施。例如阻容吸收回路用于抑制操作过电压、换相过电压和关断过电压；压敏电阻用于吸收浪涌过电压。 4. 为什么要设置电力电子器件的缓冲电路？缓冲电路有哪些类型？ 答：设置缓冲电路的目的在于降低浪涌电压、减少器件的开关损耗、避免器件二次击穿、抑制电磁干扰、减小du/dt和di/dt的影响以及提高电路的可靠性。缓冲电路有耗能式缓冲电路（含关断缓冲电路、开通缓冲电路）和馈能式缓冲电路。 5. 晶闸管在串联使用中应注意什么？ 答：晶闸管在串联使用中应该选用参数和特性尽量一致的器件；均压电阻的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多；通常在元件两端并联R、C阻容吸收回路，它既可起过电压保护作用，又可利用电容电压不能突变而减慢元件上的电压变化以实现动态均压的目的。 2 0 UGE 增加 IC UCE UGE(th) 反向阻断区 UFM URM 饱 和 区 正向阻