一种简便有效的多孔硅后处理新方法3.pdfVIP

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 一种简便有效的多孔硅后处理新方法 1 熊祖洪　刘小兵 　廖良生　袁　帅　何　钧　周　翔　曹先安　丁训民　侯晓远 ( 复旦大学应用表面物理国家重点实验室　李政道物理学综合实验室　上海　200433) ( 1 长沙电力学院物理系　长沙　410077) 摘要　本文报道了一种简便有效的多孔硅( ) 后处理新方法, 即在( ) 溶液中 PS N H S C H OH 4 2 2 5 浸泡 PS, 并用紫外光辐照激发. 后处理 PS 的光致发光(PL ) 强度约为未经处理的 5 倍; 样品处 理后的 峰值 90 内随激光连续激发时, 在大气中呈现先指数衰减后线性增长, 在真空 PL m in (约 1Pa) 中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点. 通过样品的傅里叶变换红外吸收(FT IR ) 谱的测试与分析, 表明后处理在样品表面产生了 ( ) 、 - - 和 三种提高 的 SiH O Si O Si SiN PS 3 3 4 PL 强度和稳定性的优质钝化膜. PACC: 7830, 7855, 8265 1　引言 1990 年, Canham [ 1 ] 报道了多孔硅(PS) 在室温下能较高效率地发射可见光, 这使它成为 近几年来所有尝试实现全硅基光电子集成的有关研究中最热门的课题之一. 1996 年底, 美 [ 2 ] 国罗彻斯特大学的一个研究小组 把 PS 发光器件集成在微电子电路里, 初步实现了全硅 基的光电子集成, 这展现了 PS 具有广阔的应用前景. 尽管取得了巨大进展, 但要把 PS 真正 投入实际应用, 还存在不少问题, 其中最严重的是 PS 发光不稳定. PS 发光不稳定性已成为 多孔硅研究、特别是应用研究的一个主要障碍, 如何解决 PS 的发光稳定性仍是目前重要的 研究课题之一. 本文报道了一种新的后处理: 即在( 4 ) 2 2 5 溶液中浸泡 , 并用紫外光辐照 N H S C H OH PS