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2012年电工电子专业集成电路例题精选二 例题解析 [6.13] 在图6.4.1所示的对称式多谐振荡器电路中，若RF1=RF2=1kΩ，C1=C2=0.1μF，G1和G2 为74LS04（六反相器）中的两个反相器，G1和G2的VOH=3.4V，VTH=1.1V，VIK=-1.5V，R1=20 kΩ，求电路的振荡频率。 [解] 根据式（6.4.5）可知，振荡周期为 其中 故得到 振荡频率为 kHz [6.14] 图P6.14是用COMS反相器组成的对称式多谐振荡器。若RF1 = RF2= 10 kΩ，C1 =C2 = 0.01 μF，RP1 = RP2 = 33kΩ，试求电路的振荡频率，并画出vI 1、vO1、vI 2、vO2各点的电压波形。 [解] 在RP1、RP2足够大的条件下，反相器的输入电流可以忽略不计，在电路参数对称的情况下，电容的充电时间和放电时间相等，据此画出的各点电压波形如图A6.14(a)所示。图A6.14（b）是电容充、放电的等效电路。由等效电路求得振荡周期为 T = 2RF C ln3 = 2×10×103×10-8×1.1s =2.2×10-4s 故得振荡频率为　　　　　　　kHz，、 [6.15] 在图P6.15非对称式多谐振荡器电路中，若G1、G2为CMOS反相器R1 =9.1 kΩ，C = 0.001μF，R P=100kΩ，VDD=5V，VTH=2.5V，试计算电路的振荡频率。 [解] T1 = R F C ln3，T2 = R F C ln3 T = T1+ T2 ≈2.2R F C = 2.2×9.1×103×10-9 = 20.02×10-6 s ∴ f = 1 / T = 50 kHz [6.16] 如果将图P6.15非对称式多谐振荡器中的G1和G2改用TTL反相器，并将Rp短路，试画出电容C充、放电时的等效电路，并求出计算电路振荡频率的公式。 [解] 用TTL门电路实现图A6.16所示电路时，充电回路（如图A6.16（a）所示）有两个，其中之一是，Vcc通过门G1内部R1电阻及T1管发射结对C充电，因而充电时间常数可近似认为（RF // R1）C，这里认为R 0、R 0′可忽略。放电回路如图A6.16（b）所示，其振荡周期可根据公式求出。 式中VTH为阈值电压，VIK为二极管导通电压且认为VOL≈0。 在R1 RF的条件下，RF // R1≈RF ，这时可得到其振荡周期近似公式： [6.17]　　图P6.17是用反相器接成的环形振荡器电路。某同学在用示波器观察输出电压vo的波形时发现，取n=3和n=5所测得的脉冲频率几乎相等，试分析其原因。 [解]　　当示波器的输入电容和接线电容所造成的延迟时间远大于每个门电路本身的传输延迟时间时，就会导致这种结果。 [6.18] 　在图P6.18所示环形振荡器电路中，试说明： （1）R、C、RS各起什么作用？ （2）为降低电路的振荡频率可以调节哪能些电路参数？是加大还是减小？ （3）R的最大值有无限制？ [解] （1）当RR 1+R S（R 1为TTL门电路内部电阻）时振荡频率决定于R、C，RS的作用是限制G3输入端流过的电流。 （2）增大R、C数值可使振荡频率降低。 　　（3）根据反相器的输入端负载特性可知，R不能过大。否则由于R和RS上的压降过大，当vO2为低电平时vI 3将被抬高到逻辑1电平。 [6.19]　　在上题所示的环形振荡器电路中，若给定R=200Ω, RS　=100Ω，C=0.01μ F，G1、G2和G3为74系列TTL门电路（VOH=3V，VOL≈0，VTH=1.3V），试计算电路的振荡频率。 [解]　　根据式（6.4.8）得到 振荡频率为　　　　　　　 [6.20]　　　在图P6.20电路中，己知CMOS集成施密特触发器的电源电压VDD=15V，VT+ = 9V，VT-- = 4V。试问： （1）为了得到占空比为q=50%的输出脉冲，R 1与R 2的比值应取多少？ （2）若给定R 1=3kΩ，R 2 =8.2kΩ，电路的振荡频率为多少？输出脉冲的占空比是多少？ [解] （１）q=50%，则t1 / t2 =1，即 （２） f =1 / T≈2.7 k Hz， q = t1 / T≈0.67 [6.21] 图P6.21是用LM566接成的压控振荡器（原理图见图6.4.21）。给定Rext=10kΩ，Cext=0.01μF，VCC=12V，试求输入控制电压vI 在9~12V范围内变化时，输出脉冲v 02频率变化范围有多大？ [解] 由式（6