电子技术基础(模拟部分)第五版_第5章.ppt

2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 VP＜vGS＜0时 vGS≤VP时 * 2. 工作原理 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? vDS＜|VP| vDS=|VP|时 vDS＞|VP|时 * 2. 工作原理 ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP * 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 * 分区讨论 ①I区位截止区（夹断区） 此时vGS＜VP，iD=0。 ②II区为可变电阻区（线性区） 当VP＜vGS≤0，vDS≤vGS-VP时，工作在可变电阻区 ③III区为饱和区（放大区） 当VP＜vGS≤0，vDS＞vGS-VP时，JFET工作在饱和区。 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 * 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 转移特性可以之间由输出特性上作图法求出。 若已知IDSS和Vp，转移特性曲线也可以下表达式得到。 对比VDS=20V和VDS=1V的曲线 * JFET的主要参数与耗尽型MOSFET类似。 3. 主要参数 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 * END 5.3.2 JFET放大电路的小信号模型分析法 1. JFET小信号模型 （1）低频模型 类似MOSFET的小信号模型，得到JFET的小信号模型图，栅源间电阻rgs阻值很大，因此栅源间近似开路。 * （2）高频模型 当FET用在高频电路时，则考虑极间电容的影响 * 2. 应用小信号模型法分析JFET放大电路 （1）分析5.3.8a所示共源电路 一般负载电阻比rds小很多，近似认为rds开路。 * （2）电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds， 由输入输出回路得 则 通常 则 例5.3.1 * *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 本节不做教学要求，有兴趣者自学 * 5.5.1 各种 FET的特性及使用注意事项 1.各种FET的比较 MOS器件发展迅速。在分立器件方面，MOS管已经有了多种大功率器件，在集成运放及其他模拟集成电路中，MOS电路也有很大发展，MOS器件更主要使用在数字集成电路方面。 JFET具有低噪声特点，在低噪声放大电路方面得到应用。 * 2.注意事项 （1）在MOS管中，有的产品有衬底的管脚，p衬底结低电位，n衬底接高电位。某些特殊电路中，源极与衬底连在一起。 （2）FET的漏极与源极对称，可以互换，但是有些产品将源极与衬底连在了一起，此时不能互换。 （3）JFET的栅源电压不能接反，但可以在开路状态下保存。MOSFET的栅源电阻大，电容小，少量感应电荷就可以使得绝缘层击穿，因此无论是在存放还是在工作电路中，栅极-源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护，应避免栅极悬空。 （4）焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。 * 5.5 各种放大器件电路性能比较 * 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： * 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.5 各种放大器件电路性能比较 * 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 * 例题 则电压增益为 由于 则 根据电路有 * 作业：5.1.1，5.2.8，5.2.9，5.5.1。 本章结束 * *