第四章半导体器件(4.3-4.4).ppt

1、截止状态 三极管工作在截止模式下，有： UBE0.5V，UBC0 可靠截止条件： UBE ≤ 0V 所以： IB ≤ 0，IE = IC = 0 结论： 三极管处于截止状态时， 发射极和集电极均为反向偏置。 条件：UBEUON= 0.5V，VON为硅管发射结的死区电压。 由三极管的输入特性知道，当UBE 0.5V时，管子基本上截止的，所以，在数字电路的分析估算中，常把UBE 0.5V作为截止条件。 特点：三极管截止时，IB ≈ 0 , Ic ≈ 0，如同断开的开关。 2、饱和状态 三极管工作在饱和模式下： UBE0.7V，UBC0，即：Je、Jc均正偏。 特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线的上升部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。三极管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变。 在工作中，若三极管的基极电流IB大于临界饱和时的IBS，则晶体管T导通，即 当 : 时，T 导通 特点：由输入和输出特性知：对硅管来说，饱和导通后，UBE=UBES= 0.7V，UCE= UCES≤0.3V，如同闭合的开关。 一般规定： 当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和； 饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。 4、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM： 在Ic的一个很大范围内，β值基本不变，但当Ic超过一定数值后，β值将明显下降，此值就是ICM。 （2）集电极反向击穿电压U(BR)EBO、U(BR)CBO、U(BR)CEO U(BR)EBO：集电极开路时，射一基极间的反向击穿电压，这是发射结允许的最高反向电压，一般为1V～几伏。 U(BR)CBO：发射极开路时，集-基极间的反向击穿电压，即集电结所允许的最高反向电压，一般为几十～几千伏。 U(BR)CEO：基极开路时，集-射极间的反向击穿电压。 一般地：U(BR)CBOU(BR)CEO （3）集电极最大允许功率损耗PCM：PCM = Ic·UCE PCM决定于管子允许的温升，管子在使用时的功耗不能超过PCM，而且要注意散热，Si管为150℃，Ge管为70℃即为上限温度。 一、绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 场效应管与晶体管的比较 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) 转移特性曲线 0 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 U DS UGS=0 UGS0 UGS0 漏极特性曲线 0 ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 二、场效应管的主要参数 1、开启电压VGS(th)：对增强型MOS管，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 2、夹断电压VGS(off) （或VP）：对耗尽型MOS管或JFET ，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 3、 直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，RGS大于107Ω， MOS管的RGS大于109Ω。 4、 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。 5、 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。 6、 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 8、 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。 7、 击穿电压V