第2章载流子输运现象02汇编.pptVIP

第2章 载流子输运现象 半导体器件物理 半导体器件物理 第2章 载流子输运现象 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices * 2.2.2 爱因斯坦关系式 一维情形，由能量均分定律可得 利用上式和 及 可得 即 意义 把描述半导体中载流子扩散及漂移输运特征的两个重要常数（扩散系数及迁移率）联系起来。 同理可得 第2章 载流子输运现象 * 上式中的“-”是因为对于一个正的空穴梯度，空穴将朝-x方向扩散，导致一个同样朝-x方向的空穴电流。总传导电流密度 当浓度梯度与电场同时存在时，在任意位置的总电子电流密度即为漂移及扩散分量的总和： 2.2.3 电流密度方程 其中，E为x方向的电场 。 总空穴电流密度亦可相似地表示为 适用 低电场。很高电场下，μnE及μpE应以饱和漂移速度vs替代。 第2章 载流子输运现象 * 在热平衡下，pn=ni2。 假如过剩载流子引入半导体，则pnni2，此时半导体处于非平衡状态。 引入过剩载流子的过程，称为载流子注入。 大部分的半导体器件通过产生过剩载流子来工作。可以用光激发或正偏p-n结来引入过剩载流子。 当热平衡状态受到扰动时（pn≠ni2），会出现一些使系统回复至平衡（pn=ni2）的机制。 当过剩载流子注入时，回复平衡的机制是注入少数载流子与多数载流子的复合。 2.3 产生与复合过程 第2章 载流子输运