薄膜技术Xuhai Zhang 05Thin-Film CVD.pptVIP

当气体的雷诺数超过2100时，； * 气流中部，气体流速快，组分混合均匀，浓度保持恒定；气相边界层流动性差，各组分必须通过扩散过程通过边界层 * 气体温度差导致气体自然对流； 气体对流的特点：热气(密度小)上升、冷气(密度大)下降； * An exponential decay in the growth rate with distance along the reactor is predicted * * 扩散沉积流Jg:正比于气体从体内到基片表面的浓度梯度和扩散系数; * 温度对气相质量输运系数和反应率常数作用不同 * 低温下的薄膜生长主要受到表面原子反应速度的限制，不易控制； 实际的薄膜生长过程选择的是质量输运(气体扩散)控制生长的温度; * 表面化学反应控制型CVD过程的沉积速率一般将随温度的升高而加快。但也有一些时候，化学气相沉积速率会出现随温度先升高后下降的情况。出现的原因在于化学反应的可逆性。 反应生成热与反应活化能的关系：ΔG = ΔH –T ΔS; * 提高生产效率、降低成本： 改善薄膜的质量： * glow-discharge plasmas are sustained with in chambers where simultaneous vapor-phase chemical reactions and film deposition o