CMOS电路参数的统计优化设计Ξ-Read.PDF

第 5 期 电　　子　　学　　报 Vol. 27 　No. 5 　1999 年 5 月 ACTA EL ECTRONICA SINICA May 　1999 　 CMOS 电路参数的统计优化设计 甘学温 　冯小敏 　肖志广 　杜 　刚 　李佑斌 (北京大学微电子学研究所 ,北京 100871) 　　【提要】　本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对 CMOS 集成电路参数进行统计优化设计的方法 ,分析工艺 因素设置及其起伏对电路参数的影响 ,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型 ,并用模型公式找出使电路参 数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件. 关键词 : 实验设计 , 工艺因素 , 阈值电压 , 优化设计 The Statistical Optimising De sign of CMOS IC Parameter Gan Xuewen ,Feng Xiaomin ,Xiao Zhiguang ,Du Gang ,Li Youbin ( ) Instit ute of Microelect ronics , Peki ng U niversity , Beiji n g 100871 Abstract : 　A method to optimize CMOS IC parameters using experimental design combining simulations was present ed. The effect of process factors′fluctuation on circuit parameters was analyzed and the macro model of circuit parameters was set up to model the relationship between circuit parameters and process factors. Using the model we can get the optimum pro cess conditions which make the threshold voltage at the expected value and with the smallest deviation. Key words : 　Experimental design ,Process factors , Threshold voltage ,Optimising design 间近似的、简明的关系. 一、引 　　言 采用回归分析, 以二次多项式作为近似模型公式, 用实验 设计方法确定采样点, 以便用最少的数据点获得最多的信息. 　　运用模拟工具对集成电路工艺因素进行分析和优化设 ( )