NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究＊.PDF

第30卷 第3期 电 子 器 件 V01．30 No．3 2007年 6月 ChineseJ0Im JOfElectronDevices Jun．2007 TotalDoseEffectswithHighDoseRateinNM OSTransistors LIDong-mei，WANGZhi—hua ，HUANGFULi—ying ，GOUQiu-jing ，LEIYou—hua ，LIGuo-lin1 ，1．DepartmentofElectronicEngineering，TsinghuaUniversity，Beijing100084，China；、 ＼2．InstituteofMicroelectronics，TsinghuaUniversity，BeOing100084，c^，l口 Abstract：Thetestchipsweredesignedandprocessedinacommercial0．6 m standardCMOS／Bulk process．Deviceparametersweremonitoredbeforeandafterirradiationwithabout9．5kGy(Si)∞CoT-rays． Co mparisonsoftheeffectswith differentdevicesizesanddifferentlayoutstructuresweremade．The effectsofdifferentbiasingconditionsduringirradiationarediscussed．Theexperimentresultsshow that i doesnotchangethethresholdvoltageshiftafterT-rayirradiation．Channellengthandlayoutstruc— tureenormouslyinfluencetheleakagebetweensourceanddraininducedbyirradiation． Keywords：NMOStransistors；radiationeffect；TotalDoseEffects EEACC：7430；2570F NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究* 李冬梅 ，王志华 ，皇甫丽英 ，勾秋静 ，雷有华 ，李国林 ，1．清华大学 电子工程系，北京 100084； 、 ＼2．清华大学微电子学研究所，北京 100084／ 摘 要：采用商用标准0．6tan体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体 管作为测试样品．经高剂量 。Coy射线的总剂量辐照实验，讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性．研究表明NMOS 总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感；辐照引起阈值电压的漂移随W／L的变化不明显；沟道长度及版图结构对NMOS管 辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著． 关键词 ：NMOS晶体管；辐照效应；总剂量 中图分类号：TN386．2 文献标识码：A 文章编号：lo05_949o(2O07)O3_0748-414 随着信息技术的飞速发展，集成电路在航空航 成电路中的主流，在航天等电子系统中的应用也越来 天、军事装备、高能物理及核医学等领域中得到了日 越多．由于cM0S电路是表面器件，对电离辐射特别 益广泛的应用．由于这些环境下存在着各种各样的 敏感，抗总剂量辐射能力较差．本文研究 06晶体 辐射[1]，辐射环境对电子器件，尤其是对集成电路性 管的总剂量效应．采用 。Co 辐照源，对 0．6tan标准 能及参数的影响，关系到电子系统的可靠性及使用 商用体硅CMOS工艺实现的NMOS晶体管测试样本 寿命．因此辐射环境对集成电路性能的影响以及如 进行总剂量辐照实验．分别研究了不同宽长比(W／L) 何提高集成电路抗辐射能力一直是航天及核环境