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低于60毫伏特次临界摆幅之负电容效应鳍式场效电晶体
6
34
60
Sub-60mV-Swing Negative-Capacitance
FinFET
High-k
HfZrO2
HfZrO2 NDL
(Gint) ( IL high-k
) (G ) HfZrO O
top 2
CFE CMOS (Domain Switching)
( )
Abstract
Study of the high-k transition metal oxide material thin film with ferroelectricity is the
first priority in this project. Through controlling material growth condition such as doping
concentration, thin film thickness, annealing temperature and seed metal layer materials, the
structure of ferroelectric thin film could be well defined. Because the ferroelectricity is strongly
dependent on thin film structure, we have an opportunity to design the ferroelectric thin film
with low coercivity and high saturated dipole polarization for NC-FET application. In addition,
the negative capacitance effect can be observed in the innovated capacitance device. The
ferroelectric capacitance structure will be similar to the gate structure in NC-FET. By using NDL
60
NANO COMMUNICATION 23 No. 2
35
35
fabrication process line, we can make CFE a
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