半导体开关与RFMEMS开关性能分析与比较-硬件和射频工程师.PDF

维普资讯 第25卷第4期 辽宁工程技术大学学报 2006年 8月 、，01．25 No．4 JournalofLiaonimzTechnicalUniversi Aulz． 2006 文章编号：1008-0562(2006)o40574．04 半导体开关与RFMEMS开关性能分析与比较 南敬昌 一，刘元安 ，冯永生 (1．北京邮电大学 电信工程学院，北京 100876；2．辽宁工程技术大学 电子与信息工程系，辽宁 葫芦岛 125105) 摘 要：为找出影响微波开关性能的参数及其开关的发展方向，从物理机理上分析和比较了．半导体升茂和RFMEMS(射频微电机械) 开关的性能。提出了微波串联开关的理想模型，定义了开关的品质因数，应用器件物理理论和 电容公式推出了半导体开关和MEMS开 关的品质因数表达式，分析出影响开关性能的参数，提出改善的方法 通过相关权威测试的品质因数得出： RFMEMS开关比半导体 开关具有更优的性能，与理论分析相一致。通过开关的性能比较，明确RFMEMS是可广泛地应用到射频微波电路中，有好发展前景。 关键词：RFMEMS开关；PIN开关；MESFET开关 品质因数；性能比较 中图分类号：TN61；TN385 文献标识码：A PerformanceanalysisandcomparisonofsemiconductorandRFMEMS switches NANJing-chang’，LIUYuan-an ，FENGYong·sheng (1．CollegeofTelecommunicationEngineering，BeijingUniversityofPostsandTelecommunications,Beijnig， 100876，China；2．DepartmentofElectronicna dInformationEngineering，LiaoningTechnicalUniversity, Hniudao，125105，China) Abstract：InordertOfindtheparametersaffectinghteperformanceofmicrowaveswitchesnadhtedeveloping directionofswitches，hteperfomr naceofsemi conductornadRFMEMESswitchesisnaalyzednadcomparedin termsofphysicalworkingmechanism ofdevice．Anidealmodelofmi crowaveseriesswitchesispresented，FOM (figureofmerit)ofswitchesisdefined．ThemahtematicalexpressionsofFOM forsemiconductornadRFMEMS switchesarederivedfrom hteoriesofdevicephysicsnadfomr ulaofacapacitor,thepraameters aff cetinghte perfomr naceofswitchesCna befound，nadhtemehtodsimprovinghteperfomr naceofswitchesraeproposed． AccordingtOtestdataofsomeauhtoriattiveliteratures，theconclusionCna bedrawnhtatRFMEM S switches havebetterperformancethansenficonductorswitches，whichisinconsistentwiht htoereticalnaalysis．RFMEM S switchesraeofapromi