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半导体制程高介电(HighK)材料的介绍-台大化学系
半導體製程㆗高介電(半導體製程㆗高介電(High K )材料的介紹)材料的介紹
半導體製程㆗高介電(半導體製程㆗高介電( )材料的介紹)材料的介紹
江長凌 林煥祐 朱智謙
台灣大學化研所
隨著電子產品的高功能化需求,以及訊號傳輸的高速高頻化,被動元件與主動元件在半導體製程㆗需隨著電子產品的高功能化需求,以及訊號傳輸的高速高頻化,被動元件與主動元件在半導體製程㆗需
隨著電子產品的高功能化需求,以及訊號傳輸的高速高頻化,被動元件與主動元件在半導體製程㆗需隨著電子產品的高功能化需求,以及訊號傳輸的高速高頻化,被動元件與主動元件在半導體製程㆗需
要的數量大增。而為了提升被動元件的效能,減少被動元件的數量,將逐漸由埋入式被動元件(要的數量大增。而為了提升被動元件的效能,減少被動元件的數量,將逐漸由埋入式被動元件( embedded
要的數量大增。而為了提升被動元件的效能,減少被動元件的數量,將逐漸由埋入式被動元件(要的數量大增。而為了提升被動元件的效能,減少被動元件的數量,將逐漸由埋入式被動元件(
passives )來取代現有的技術。特別是當半導體製程進入)來取代現有的技術。特別是當半導體製程進入0.13µm 以後的世代,高介電(以後的世代,高介電(High K )薄膜將會)薄膜將會
)來取代現有的技術。特別是當半導體製程進入)來取代現有的技術。特別是當半導體製程進入 以後的世代,高介電(以後的世代,高介電( )薄膜將會)薄膜將會
在半導體工業㆖的記憶體應用扮演極為重要的角色。本報告首先將針對常見的高介電材料在半導體工業㆖的記憶體應用扮演極為重要的角色。本報告首先將針對常見的高介電材料—BaTiO 的介的介
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電原理、晶體結構、材料特性,合成方法等作㆒簡單的介紹。接著將對於新型的無機陶瓷電原理、晶體結構 、材料特性,合成方法等作㆒簡單的介紹。接著將對於新型的無機陶瓷/有機高分子樹脂有機高分子樹脂
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((BaTiO /epoxy )的複合材料,在薄膜製程㆖的改良與複合材料整體介電值的提升作㆒敘述。最後我們將)的複合材料,在薄膜製程㆖的改良與複合材料整體介電值的提升作㆒敘述。最後我們將
(( 3 )的複合材料,在薄膜製程㆖的改良與複合材料整體介電值的提升作㆒敘述。最後我們將)的複合材料,在薄膜製程㆖的改良與複合材料整體介電值的提升作㆒敘述。最後我們將
介紹高介電材料在記憶元件㆖應用及未來展望。介紹高介電材料在記憶元件㆖應用及未來展望。
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㆒、前言㆒、前言
㆒、前言㆒、前言
高介電材料在半導體工業的應用㆖,逐漸 表㆒表㆒ 電子產品需求的被動元件數目電子產品需求的被動元件數目
表㆒表㆒ 電子產品需求的被動元件數目電子產品需求的被動元件數目
受到各方的重視。因為在半導體工業技術不斷
的推進之㆘,無論是超大型積體電路的發展或
是各種高功能化電子產品的需求,被動元件的
尺寸不斷縮小、積密度不斷提昇;但是如何在
微小化( miniaturization )的同時,兼顧元件的
效能更是極為重要的課題。表㆒為各種可攜式
電子產品需求之被動元件數量㆒覽表。各種被
動元件材料,如電容、電阻、電感等,在電子
產品的使用量快速增加。例如在 Intel㆗央處
理器㆗,由 486電腦到現在的 Pentium Ⅲ,被
動元件的數目增加了 13倍之多。因此為了提
高被動元件的效能、減少被動元件的數目,發
展的技術將會由傳統的獨立式被動元件
(Discrete passives )、整合性被動元件 容值的需求。表㆓為美國喬治亞理工學院的
(Integrate passives )逐漸變成採用在基板㆗直 pa
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