压力传感器的硅玻静电键合.PDF

第３３卷 第２期 世界科技研究与发展 Ｖｏｌ．３３ Ｎｏ．２ 　 　 ２０１１年４月 ２６８－２７０页 ＷＯＲＬＤＳＣＩＴＥＣＨＲ＆Ｄ Ａｐｒ．２０１１ ｐｐ．２６８－２７０ 压力传感器的硅玻静电键合  张子鹤 　刘振华　陈　勇　卢　云 （电子科技大学微电子与固体电子学院，成都６１００５４） 摘　要：针对ＭＥＭＳ压力传感器封装关键技术，从结构仿真和工艺参数等方面研究了一款压力传感器的硅玻静电键合问题，旨在 减小封接对压力传感器芯片输出性能的影响。设计并制作键合装置，进而完成实验，最终优化键合温度，电压等参数值，验证最佳 温度３５０℃，理想电压范围５００～９００Ｖ。 关键词：压力传感器；静电键合；实验参数 中图分类号：ＴＮ３０５．９４　　　文献标识码：Ａ　　　 ＥｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃＢｏｎｄｉｎｇｏｆＳｉｌｉｃｏｎａｎｄＧｌａｓｓｏｆＰｒｅｓｓｕｒｅＳｅｎｓｏｒ  ＺＨＡＮＧＺｉｈｅ　ＬＩＵＺｈｅｎｈｕａ　ＣＨＥＮＹｏｎｇ　ＬＵＹｕｎ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００５４） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｂａｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｐｒｅｓｓｕｒｅｓｅｎｓｏｒｃｈｉｐｓｏｕｔｐｕｔｗｈｉｃｈｉｓｃａｕｓｉｎｇｂｙｐａｃｋａｇｅ，ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｂｏｎｄｉｎｇｔｅｃｈ ｎｏｌｏｇｙｏｆｓｉｌｉｃｏｎａｎｄｇｌａｓｓｔｈａｔｉｎｃｌｕｄｅｓｔｒｕｃｔｕｒａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｒｅｓｔｕｄｉｅｄ．Ｂｏｎｄｉｎｇｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄａｎｄｐｒｏｄｕｃｅｄ．Ｔｈｅ ｏｐｔｉｍｕｍｐａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｖｏｌｔａｇｅａｒｅｆｏｕｎｄｏｕｔ．Ｉｔｉｓｆｏｕｎｄｔｈａｔａｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｏｆ３５０℃ａｎｄｖｏｌｔａｇｅｓｉｎｔｈｅｒａｎｇｅ５００～９００Ｖ ａｒｅｔｈｅｂｅｓｔｃｈｏｉｃｅ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐｒｅｓｓｕｒｅｓｅｎｓｏｒ；ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｂｏｎｄｉｎｇ；ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓ 键合装置完成键合，确定了实验参数；最后通过ＳＥＭ照片分 １　引言 析了部分键合样品。 硅玻静电键合也称作硅玻阳极键合，由Ｗａｌｌｉｓ和 Ｐｏ ２　传感器结构 ｍｅｒａｎｔｚ于１９６９年提出，是传感器封接的关键技术之一。它 指不通过任何粘接剂，利用温度和外加电场使硅和玻璃界面 传感器硅片与玻璃键合有两种结构，一是绝对压力传感 发生化学反应，形成牢固化学键，将两者键合在一起，方法简 器结构，二是相对压力传感器结构 。在绝对压力传感器结 ［１］ 单有效 。 构中，为了提高压力传感器薄膜感应外界压力的灵敏度，需 压力传感器的封接，从器件误差和零点温度漂移等方面 要抽真空设备对压力传感器凹槽部分进行抽真空处理，由此 考虑，硅压力传感器芯片一般不直接与基底材料进行粘接， 键合成本明显提高。相对压力