实验晶体光纤测高压.PDF

实验 晶体光纤测高压 1893 年,Pockels 发现某些晶体的折射性质会随着所加直流或者低频电压的改变而改 变,并且改变量与所加的电场成正比,这就是线性电光效应 (LEO),又叫做 Pockels 效应。LEO 效应是材料的二阶非线性光学效应,仅存在于无对称中心的晶体中。 由于线性电光效应中的折射率改变量与电场强度是一次方关系,便于理论研究与实际 应用,因而得到了更广泛的应用。电光调制是重要的光信号调制方法之一，它可以实现对光 波的相位、强度、频率以及偏振状态的调制。因此，在实验和工程中，电光调制有着非常 广泛的应用。例如，它已被应用于电光开关，光波偏振状态的检测，及晶体电光系数、高 电压等的测量。利用具有 LEO 效应的半导体材料可以制成电光调制器,电光双稳器以及响应 时间可达到 ns 量级的超快光开关等光电器件。除此以外，它还被应用到激光通讯以及其他 很多领域。 【预习提要】 （1）什么是线性电光效应现象。 （2 ）电光调制的物理过程。 （3 ）光纤传感器的原理。 （4 ）设计待测量的数据记录表格。 【实验要求】 （1）了解线性电光效应现象。 （2 ）了解光纤传感器的工作原理。 （3 ）了解电光调制的物理过程。 （4 ）了解整个测量系统的工作过程。 【实验目的】 掌握晶体光纤测高压的工作原理和测量方法。 【实验器材】 光纤传感器、示波器、自耦变压器（输入引线 1 条、输出引线 1 对）、光纤电场测量仪。 【实验原理】 （一）测量原理 一束自然光通过空气射向某种媒质时会发生反射与折射,如果媒质是各向同性的,则只 有一条折射光线,折射光线的方向遵从 sin i sin r = n21 ；如果媒质的光学性质是各向异性 的 (如方解石和石英晶体等),则媒质中由于各部分折射率ｎ的不同将产生两条折射光线,这 ·85 · 两条折射光线分别叫寻常光 ｏ光和非寻常光 ｅ光,这种现象叫双折射，也叫自然双折射。人 为地改变媒质的折射率而产生的双折射叫人为双折射,人为双折射中最重要的现象是电光 效应。电光效应是由外加电场引起媒质折射率的变化而产生的双折射现象,它是电光调制的 物理基础 。电光效应分为克尔效应和普克尔斯效应两种。克尔效应是基于介质折射率的改 变与电场强度的平方成正比,即Δ ｎ= ｎ∝Ｅ2,也叫二次电光效应；普克尔斯效应的原理是 介质折射率的改变与电场强度成正比,即Δ ｎ= ｎ∝Ｅ,也叫线性电光效应。 光纤电场测量仪的测量原理是基于线性电光效应，即，光在通过某些晶体时在电场的 作用下发生双折射现象，双折射的两光波寻常光（o 光）和非常光(e 光) 的折射率变化 由外 加电场引起并与外加电场强度成正比的现象，称为线性电光效应。由于 o 光和 e 光的折射 率不同，两光束在晶体中的传播速度也不相等，出射晶体后两者产生的相位差与作用到晶 体的电场强度成正比，数学关系表示为： 2π 3 E ∆ϕ = n0γ 41 lE = π （1） λ E π 式 中，n0 为晶体的折射率，γ 41 为晶体的电光系数，l 、 d 分别为晶体通光方向的长度和 所施 电场方向的厚度， λ 为光波波长，∆ϕ 为两光波间的相位差，E 为作用到晶体上的外 加电场强度，E 为半波电场强度，即两光波位相差 ∆ϕ = π 时所对应的外加电场强度。电 π 光系数和半波电场强度是电光晶体的基本参量，晶体的电光系数越大，半波电压越低。 由式 （1）可见，测量出∆ϕ 即可测量出电场强度。由于直接测量 ∆ϕ 较困难，故利用 干涉原理将相位调制变为强度调制，即两光束出射时由于干涉生成强度调制波，通过探测 输出光强度就可以获得外加电场（信号）的波形、幅度等信息。 光的透射率可以由电