应用于半导体新阻障层材料与制程研究.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 應用於半導體新阻障層材料與製程研究 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 100-2221-E-006-146- 執 行 期 間 ：100年08月01日至101年07月31日 執 行 單 位 ：國立成功大學電機工程學系（所） 計 畫 主 持 人 ： 李文熙 計畫參與人員： 博士班研究生-兼任助理人員：吳騏廷 博士班研究生-兼任助理人員：施子琅 博士班研究生-兼任助理人員：劉炤德 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 公 開 資 訊 ： 本計畫可公開查詢 中 華 民 國 101 年 09月 12 日 中 文 摘 要 ： 當線幅縮減至 32 奈米、22 奈米以及更往下縮減時，隨著線 幅縮減而造成金屬導線製程的電阻提高是我們需要克服的一 大挑戰。 本第一年計畫將利用氮化釕薄膜作為阻障層材料，並且利用 直流濺鍍製程，在製程氣體調變不同的氮氣/氬氣比例製作不 同比例的金屬氮化物薄膜。之後為了要了解其熱穩定性，我 們會將薄膜放置入快速熱退火爐以不同溫度加熱，在退火過 後，我們可能從阻值變化推測到一些氮氣從薄膜中逸散以及 氮化釕薄膜一些晶格變化的狀況，並利用ＸＲＤ觀察其晶體 結構的改變，藉由銅矽化合物的有無即可判斷銅是否擴散至 下層介電層之中。金屬阻障層原為柱狀晶結構，氮化釕薄膜 能有效抑制這項擴散因素。 中文關鍵詞： 氮化釕，阻障層 英 文 摘 要 ： As the minimum feature size of microelectronic devices shrinks down to 32 nm or 22nm and beyond, the challenge of semiconductor manufacturing is an increase in the resistivity of metal lines with feature shrinkage and it should be considered. In the first year of our project, RuN thin films have been investigated as candidates for barrier layers in Cu damascene processes. In our plan, RuN thin films were deposited on Si substrates via magnetron DC sputtering in N2 and Ar atmospheres. In order to study the thermal stability of RuN films, the as- deposited RuN films were annealed by ra