用于未来集成电路的纳米线FET-化合物半导体.PDF

技术 | Technology – 纳米技术 用于未来集成电路的纳米线FET 为了能跟上摩尔定律的步伐，硅代工厂可能会在5nm 节点引入锗和 III-V 族纳米线FET。 Richard Stevenson 我打赌在你关上大门之前，你会检查随身必 这些器件有望替代目前最新的硅基FET ，即带有 备的物品：钥匙？在，钱包？在，智能手机？ 凸出鳍式结构的三维器件。在IEDM 上，imec 报 如果你忘记了手机，就一定会再进门去找。 告了他们在InGaAs 纳米线nFET 上的最新成果。 我猜你首先会去看充电器，因为有很大的可能性 来自Purdue 大学的Peide Ye 宣布了使用锗纳米 手机还连在上面充电，来获得这一天所需的电量。 线nFET 和pFET 制成的CMOS 倒相器。来自新 这个场景描述了我们对智能手机又爱又恨的 加坡的一个团队在非常薄的缓冲层上制备了III-V 态度。我们喜欢智能手机在无时不刻地为我们提 族纳米线的pFET 和nFET 。 供娱乐和通讯，但是也对其电量的快速下降而感 作为finFET ，硅以及非硅纳米线FET 的开发 到烦心。 者，欧洲微电子中心imec 在评估所有这些技术的 因此，如果智能手机制造商能推出功能更为 发展前景上处于一个很重要的地位。 强大的手机来吸引消费者们购买的话，那么它在 imec 逻辑部门的副总裁，Aaron Thean 在接 电池的使用时间上必须不能妥协。这就意味着其 受《Compound Semiconductor》杂志的采访时表 中的微处理器在增加晶体管数量来提高计算能力 示，他预计硅MOSFET 在 10nm 和7nm 节点时仍 的同时，其耗电量不能超过其前代的产品。 然会占据主导地位，并且可能会引入SiGe 沟道。 自从硅工业诞生以来，就通过使用更小尺寸 Thean 表示：“在这之后情况我们还不能确切地给 的、功耗更低的器件来推动晶体管数量的增加。 晶体管的小型化可以使其工作电压更低，由于器 件的功耗与其工作电压呈四次方关系，所以器件 小型化是很有意义的。 不幸的是，如今要在维持性能不变的前提下 来降低硅MOSFET 的工作电压将会更加的困难。 这个拦路虎促使人们对其他类型器件的兴趣正在 上升，这些器件的沟道使用了高迁移率材料来制 造，例如锗和III-V 族半导体材料。这些器件要 比对应的硅器件有着更低的工作电压，同时要能 保持它的工作性能。 国际电子器件会议（IEDM ）是一个发现非 硅基MOSFET 最新发展的好地方。最近一次的 IEDM 会议于2015 年 12 月7-9 日在美国华盛顿 由imec领导的团队制造的InGaAs 纳米线FET ，是在底部V形槽中进 举行。在会上报导了一系列新颖的纳米线FET ， 行材料生长随后再将其刻蚀掉。 化合物半导体 2016年第2期 21 技术 | Technology – 纳米技术 Peide Ye ’的团队已开发出一种工艺来制造锗纳米线nFET和pFET ，并利用它们来制作倒相器电路。 出预测”。“静电”控制的退化效应会引起漏电流 子的错失面约与晶圆表面成45 度角——它会槽的 的大幅上升。“已经证明，在三重栅极的结构中， 侧壁终止，这样就能够在晶圆表面附近生长出高 顶部栅极具有静电控制能力，但是鳍的高度越高， 质量的InP 晶体材料。 该栅极距离鳍的底部就越远”。 InGaAs 生长在InP 柱体的顶部，之后InP 将 为了提升对静电的控制能力，在5nm 节点就 被去除，之后制备栅极叠层，形成栅长为50nm 必须采用纳米线晶体管器件结构。在这种结构中， 的纳米线FET 。 栅极将沟道全部包围。imec 的研究人员正在评估 在2014 年，这个团队在《Electron Device 这种硅纳米线晶体管的性能，同时他们也在研究 L