第一章半导体中的电子能量状态.PDF

第一章 半导体中的电子能量状态  晶体中能带的形成 非晶体 固体 单晶体 晶体 多晶体 物质 液体 气体 半导体材料 元素半导体 化合物半导体 IV族半导体 III－V族半导体 II－VI族半导体 IV-IV族半导体 Ge, Si GaAs,GaN,InP ZnSe,ZnS,CdTe GeSi GaAlAs,GaPAs ZnCdSe,ZnSSe SiC 金刚石（C ）、硅( Si ) 、锗( Ge ) 原子结构及简化模型 原子实 +6 2 4 +14 2 8 4 +32 2 8 18 4 +4 价电子 简化原子结构模型 ＋4 ＋4 ＋4 价 电 共 C 子 价 ＋4 ＋4 ＋4 键 ＋4 ＋4 ＋4  晶体中能带的形成 晶体中的能带 原子中能级 2P 2S 1S 固体中若有N个原子，由于各原子间的相互作用，对应于原来 孤立原子的每一个能级,变成了N条靠得很近的能级,称为能带。 1. 越是外层电子，能带越宽 2. 点阵间距越小，能带越宽 3. 两个能带有可能重叠 晶体中能带的特点 晶体中的电子运动:局域运动+共有化运动 •能带：电子轨道交迭而形成，低能带窄，高能带宽 能带中的能级数取决于晶体中的原子数 •满带：填满电子的能带 •导带：没有被电子填满的能带 •价带： 由价电子填充的能带 •禁带：相邻能带之间的能量状态区域 金刚石晶体的能带 杂化 #11 半导体禁带宽度随温度的上升而____ ，随压力的增加而___ 。 A. 增加，增加 B. 增加，减少 C. 减少，增加 D. 减少，减少 半导体、导体、绝缘体的能带 导带 导带 禁带 禁带    