标版电力电子技术实验一之MOSFET特性及驱动电路.pptVIP

一.实验目的 熟悉MOSFET主要参数的测量方法。 掌握MOSFET一个实用驱动电路的工作原理。 研究MOSFET阻性、阻感性负载的开关特性。 二.实验内容 MOSFET开启阀值电压VGS测试。 驱动电路输入、输出延时时间测试。 阻性、阻感性负载的MOSFET开关特性测试。 三.实验电路 四.实验设备 五.实验步骤 依次打开实验台左侧的自动开关。 主控制屏左下方的中央锁控开关、 低压直流开关。 此时设备应有正常的控制电压LED指示。 §1. MOSFET开启阀值电压测试 1.1 PWM单元的开关S1打向“通”，S2打向“断”。 MOSFET单元的开关S1、S2打向“通”。 主回路单元的开关S打向“通” 。 数字万用表测量选择开关置于DC—mA（2-20 mA）档，红表笔位于mA电流测量输入端。 示波器直流输入方式，（1-5）V/div量程，探头衰减开关位于10X处。 1.2 主回路单元的“1”端与MOS管的漏极“25”端之间串入毫安表（漏极电流ID测量）。 主回路单元的电压调节电位器RP “3”、“4”端分别与MOS管的“24”、“23”端相连 。 示波器的测量输入接至主回路的“3”、“4”端（栅源电压VGS测量）。 1.3 主回路单元电位器RP左旋回零（VGS=0）。 电位器RP逐渐