2012年半导体基础知识综合练习题02.docVIP

半导体基础知识一 1、在导体中导电的是__________，在半导体中导电的是__________，而且还有__________，这是半导体区别于导体的重要特征。最常采用的半导体材料有__________和__________. 2、杂质半导体分为____型半导体和______型半导体两类. 3、PN结正向偏置时_________，反向偏置时__________，这种特性称为PN结的_________，但是当硅材料的PN结正向电压小于_________V，锗材料的PN结的正向电压小于________V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为___________。 4、硅二极管的正向压降为____________V，锗二极管的正向压降为_____________V。 5、当加到二极管上的反向电压增加到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为_________现象。 6、发光二极管把____________转变为__________，工作在___________ 状态，光电二极管把________转变为_________，他工作在___________状态。 7、使用二极管时，应考虑的主要参数是________和___________ . 8、温度上升时，二极管的反向饱和电流__________，而击穿电压会_________。 9、晶体三极管有两个PN结，即______和_______，在放大电路中________必须正偏，________必须反偏。 10、晶体三极管的输出特性曲线可分为三个区，即______区，_______区，______区，晶体三极管的_________区和________区有同一种材料组成，___________区掺杂浓度高，__________区掺杂浓度低。当三极管工作在_______区时，关系式IC=β?В才成立，当三极管工作在________区时，IC=0，当三极管工作在__________区时，UCE=0。 11、正常工作的NPN型三极管工作在放大状态，各极电位为________________，正常工作的PNP型三极管工作在放大状态，各极的电位关系是____________。 12、晶体三极管的反向饱和电流ICBO，随温度的升高而________ ，穿透电流ICEO随温度的升高而________ ,ICEO与ICBO的关系为________________。 13、晶体三极管是一种_________ 控制器件，即__________控制__________ 。 14、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于_________，而少数载流子的浓度取决于___________。 15、指针式万用表的欧姆档两表笔分别接触整流二极管的两端，当测得的电阻值较小时，红表笔接的是____________。 16、用万用表欧姆档测小功率的二极管时，应把欧姆档接到__________________________。 17、用欧姆档不同的档位测得二极管的阻值不同，根本原因是_______________________。 18、某硅二极管的反向击穿电压为150V，则最高反向工作电压为_____________V. 19、在三极管的输出特性曲线中，IB=0，则IC是___________。 20、3DG6D型晶体三极管PCM=100mW，ICM=20mA，UBR=30V，如果将其接在IC=15mA，UCE=20V的电路中，则该管________________________。 21、判断二极管时导通还是截止，并确定输出电压Uo，设二极管的导通电压降为0.7V。 22、二级管电路及输如波形，已知信号的峰值UimUR，UR2UR1,二极管的导通压降UD可忽略,是画出波形. 2 10V 5V R R Uo Uo 10V 5V VD1 VD1 VD2 VD2 10V 12V R R Uo Uo 15V 9V Ui R R Uo1 Uo2 Ui O Ui UR UR R UR Ui Uo4 UR Ui Uo3 R R Ui Uo5 UR2 UR1