2012年模拟电子技术第二章 晶体三极管和场效应管练习题（含答案）.docVIP

晶体三极管和场效应管 【教学要求】 本章主要叙述了晶体三极管和场效应管的结构特点、特性曲线、主要参数及工作原理。介绍了晶体三极管的三个工作区—放大区饱和区、截止区以及安全工作区。同时亦介绍了场效应管的结构特点及特性曲线。教学内容、要求和重点如表2.1 表2.1 教学内容、要求和重点 教学内容 教学要求 教学重点 熟练掌握 正确理解 一般了解 1：三极管特性曲线 2：场效应管特性曲线 3：三极管工作区判断 4：各类场效应管工作区判断 晶体三极管结构 √ 晶体三极管 工作原理 √ 特性曲线 √ 主要参数 √ 场效应管结构 √ 场效应管 工作原理 √ 特性曲线 √ 主要参数 √ 【例题分析与解答】 【例题2-1】由电极电位判定三极管的状态：在图2-1所示管子中，测得下述6组三极管3个极的电位； （a） （b） 图2-1 a图NPN管： （1）：1、3.7 V；2、1.7V；3、1V （2）：1、0.2 V；2、0. 9V；3、0. 2 V （3）：1、7 V；2、1V；3、2V。 b图PNP管： （1）：1、1V；2、0.8 V；3、1V （2）：1、－3V；2、－0.2 V；3、0V （3）：1、－2V；2、1 V；3、1.2V。 试确定三极管处何种状态。 解 多数NPN管用Si材料制成，PN结的导通压降一般设为0.7V；而多数的PNP管用Ge材料制成，PN结导通压降一般为0.2V左右。 根据电位确定三极管的状态，放大区：满足发射极正偏，集电极反偏；饱和区：发射极正偏，集电极正偏；截止区：发射极反偏，集电极反偏。对NPN放大管，集电极点为最高，基极次，集电极最低，基极和发射极相差0.7V或0.2V。对PNP放大管，正好相反。按此思路对给定的6组数据分析如下 a图NPN管： 第（1）组数据中，基极b对应1.7V，射极e应为1V，则集电极c为3.7V，满足发射结正偏，集电结反偏，故三极管T处于放大状态。 第（2）组数据中，可考虑各电极对应的电位如下：基极b为0.9V，射极e为0.2 V，集电极c为0.2 V 。发射结正偏，集电结也正偏，故三极管T处在饱和状态。 第（3）组数据中，发射结若正偏，be间必然满足正偏条件，即Vbe=0.7V，而给定的3个数据中，不具备此条件，因而发射结没有正偏。可认为b电位低于射极e，又由于集电极c通常处于最高电位。故三极管T处在截至状态。 2、PNP管 按同样的思路讨论PNP型3组数据，其结果如下； 第（1）组数据中，基极b对应0.8 V，射极e为1V，集电极C 为1V，满足发射结正偏，偏置电压VBE=－0.2 V，集电结亦正偏，故三极管T处于饱和状态。 第（2）组数据中，可考虑各电极对应的电位如下：基极b为－0.2V，射极e为0V，集电极c为－3V 。发射结正偏，集电结反偏，故三极管T处在放大状态。 第（3）组数据中，基极b为1V，射极e为1.2V，集电极c为－2V 。发射结正偏，集电结反偏，故三极管T处在放大状态。 【例题2-2】 已知场效应管的夹断电压为(|UGS(OFF)|=3V)，各极对地的电压如下图2-2，试判断其工作区域。 （b） 图2-2 解：由表2-1和2-2知：对（a）图，属于N沟道JFET，∵|UGS|=1V，∴|UGS||UGS(OFF)|，又∵UDS=10-3=7V，而|UGS(OFF)|－|UGS|=2V7V,故工作在放大区（恒流区、饱和区）。对（b）图，属于P沟道JFET，∵|UGS|=1V，∴|UGS||UGS(OFF)|，又∵|UDS|=|1-2|=1V，而|UGS(OFF)|－|UGS|=2V1V,故工作在可变电阻区。 表2－1 结型场效应管 表2－2 绝缘栅型场效应管 【思考与练习】 2-1、维修员在修理一台收录机时，因为没有图纸，管子无符号，为了弄清某个三极管以下情况：①是硅管还是锗管；②是PNP型还是NPN型；③是否处在放大状态；④三个管脚所属电极。维修员用万用表测量该管1脚对地电压为8V，2脚对地电压4.6V，3脚对地电压4V，以上问题便清楚了。你知道是怎样推理的吗？请分析井找出答案。 2-2、如何用万用表的欧姆档判定一个 BJT是 NPN型还是 PNP型？如何确定 BJT的b、c、e三个极？ 2-3、有甲、乙两个三极管，均工作在放大区，从电路中可以测得它们各个管脚的对地电压为：甲管U1＝12V，U2＝6V，U3＝6.7V；乙管U11＝－15V，U22＝－7.8V，U33＝－7.5V。试判断它们是锗管还是硅管? 是PNP型还是NPN型?