2012年模拟电子技术综合测试卷六（含答案）.docVIP

2012年模拟电子技术综合测试卷六（含答案） 一、填空题（每小格1分，共40分）。 1．-1电路中二极管为理想器件。当输入电压Vi=0V时，输出电压V0=_____V；当输入电压Vi=12V时，输出电压V0=_____V；当输入电压Vi=36V时，输出电压V0=_____V。 2．max=20mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别约为_____V、_____mA、_____mA；当开关S断开时，其读数分别为_____V、_____mA、_____mA。 图1-1 图1-2 3．V，当开关S闭合时V0=_____V，二极管承受的最大反向电压VRM=_____V。当开关S打开时V0=_____V，VRM=_____V。 4．_____（填增大、减小或不变）；仅减小RC，VCEQ将_____；仅增加RL，VCEQ将_____；仅换(小的管子，VCEQ将_____；仅VG在一定范围内减小，VCEQ将_____。 图1-3 图1-4 5．_____和_____两种类型，它们工作时有_____和_____两种载流子参与导电；场效晶体管从结构上看可以分成_____和_____两大类型，它们的导电主要取决于_____载流子的流动。 6．_____倍，选用管子时，一般希望ICEO尽量_____。 7．_____，噪声_____的特点。 8．_____和_____造成的；高频段放大倍数下降主要是由_____和_____造成的。 9．_____和_____功能。 10．Vi=15，R=1.5k(，V0 = –0.67V，则流过二极管电流为_____mA，二极管正向压降为_____V。 11．时序逻辑电路的结构特点是具有控制作用的_____和具有_____的触发器两部分组成。 12．(486)10=(________________)8421 BCD。 二、是非题（在括号内作记号：“√”表示对，“×”表示错。每题2分，共20分） 1．半导体器件一经击穿便将失效，因为击穿都是不可逆的。（ ） 2．Io=Ib+Ic=(1+()Ib总是成立。（ ） 3．．．3VCE。 6．．．，所以越小，其最大输出功率就越大。（ ） 9．．．A．0.03mA．0.03．0.03．0.03值为（ ） A．NPN=41 B．PNP=40 C．PNP=41 D．NPN=40 2．1.5V时，电流表指示为1.5mA；当GG=2V，电流表指示为1mA；当GG=4V时，电流表指示接近于零，则（ ） （1）该管的IDSS为（ ） A．1.5mA B．1mA C．4mA D．．4V B．2V ．– 4V D．–V 3．OTL，则（ ） A．．．．4．．．．．．．．．．A．静态工作点下移 B．．．．．．．．．．．．．．(，RC2=3.9k(，RL=3.9k(，VG=12V，(=50，VBE忽略不计。 （1）画出直流通路及交流通路。 （2）计算静态工作点。 （3）求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 （4）若C3开路，对静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻有何影响？（只要回答各量是增大、减小或不变） 图4-1 2．4．–VCB= –6V，硅三极管的( = 30，当输入控制方波V1由0V跳变到+6V时，试求： （1）三极管能否由截止转向饱和。 （2）若将R3改变1k(情况如何。 （3）若不改变R3，换用(=15的管子又如何。 5．．．0.5V（有效值），Vi的电压放大倍数为10倍，V2、V3的电压放大倍数约等于1，计算实际输出功率。 图4-7 8． 参 考 答 案 一、1．0V ．3.6V1.8V，1.8mA；12V，1.2mA，0mA 3．12V 4．．NPN，PNP；．1+(．．．．10mA0.67V 11．．010010000110 ．2．3．4．5．6．7．8．9．10．．（）．（）．D 4．D 5．（）．C 7．D ．（） ICQ=(IBQ=50×40(A=2mA VCEQ=VG–(RC1+RC2)ICQ=12–4×2=4V （3） Ri=Rb//rbe ( rbe=0.96k( R0=RC2=3.9k( （4）静态工作点（Q点）不变，电压放大倍数增大，输入电阻不变，输出电阻增大。 2．（） （3）异或功能 3．（）V01=Vi1 V02=–Vi2 V0=–Vi2–Vi1= –(Vi1+Vi2) （2）如图。 4．（） ∵iBIBS 管子可以饱和 （2） ∵iBIBS 管子不饱和 （3） ∵iBIBS 管子不饱和 5．（）．（）①阳极与阴极间接正向电压 ②控制极与阴极间接正向电压 （2） 7．