2012年电子技术（高教第2版）章节练习题四及答案.docVIP

第四课习题 P沟道结场型场效应管处于放大状态时要求（A） A.UGS0 B.UGS=0 C.UGS0 下图中，标有结型场效应管的夹断电压及各极电位值，其中工作在放大状态的是（B） 表征场效应管放大能力的重要参数是（B） A.夹断电压UP B.低频互导（跨导）gm C.饱和漏极电路IDSS D.最大栅源电压BUGS 场效应管从结构上看可以分成（B）和（A）两个类型，它们的导电过程仅取决于（C）载流子的流动。从这一点看它又称为单极型晶体管。 A.绝缘栅型 B.结型 C.多数 D.少数 场效应管的输出特性曲线又称为漏极特性曲线。它是指（A）一定时，（B）和（C）之间的关系曲线，它可划分为可变电阻区、饱和区（恒流区）和击穿区三个区域。 A.栅源电压UGS B.漏极电流ID C.漏源电压UDS 场效应管用于放大时，一般都工作在饱和区（恒流区），场效应管的放大能力比三极管（A），直流输入电阻比三极管（B），极间电容比三极管（B）。 A.小得多 B.大得多 场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻（A），所以输入电流近似为（B）。 A.大得多 B.零 场效应管当UGS＝0时，UDG=︱UP︱，这种情况称为（A），此时的ID为漏极饱和电流。当UDG≥︱UP︱，UGS=UP时，这种情况称为（B），此时的ID为零。 A.预夹断 B.全夹断 MOS管是用（A）、（B）和（C）材料制成的。按沟道类型分有N沟道和P沟道两类，其每一类又可分为耗尽型和增强型两种。 A.金属 B.氧化物 C.半导体 D.杂质 使用场效应管时应特别注意对（A）极的保护，尤其是绝缘栅场效应管的不用时应将三个电极短接。 A.栅 B.基 C.集电 有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。（来源于《电子技术基础试题汇编，模拟部分，超星P40》,以下同） A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后输出电压降为3V。这说明放大电路的输出电阻为（C）。 A.10kΩ B.2kΩ C.1kΩ D. 0.5kΩ 如图电路，该电路（A） A.不能起放大作用； B.能起放大作用但效果不好 C.能起放大作用且效果很好 如图所示的晶体管放大电路中，设各电容都足够大，则该电路（C） 电压放大倍数与C3接入前相同 电压放大倍数比C3接入前略有减小 没有放大作用 图中电路能（B）。 A.能不失真地放大信号 B.不能正常放大 图中电路能（B）。 A.能不失真地放大信号 B.不能正常放大 图中电路能（B）。 A.能不失真地放大信号 B.不能正常放大 图中电路能（A）。 A.能不失真地放大信号 B.不能正常放大 图中电路能（A）。 A.能不失真地放大信号 B.不能正常放大 图中电路能（A）。 A.能不失真地放大信号 B.不能正常放大 ????????????????????????????? 2