2012年对口升学《模拟电子技术》考纲.docVIP

2012年对口升学?模拟电子技术?考纲 第一章 半导体元器件基础 半导体基础知识 名词：本征半导体、杂质半导体（Ｎ型和Ｐ型）、载流子、多子、少子、扩散电流、漂移电流 ＰＮ结及其形成 单向导电性 导通电压（硅０．７Ｖ，锗０．３Ｖ） 伏安特性方程与（U与Ｉ的关系式）　　Ｉ＝Ｉs(eU/UT-1) PN结的反向击穿特性和电容效应 半导体二极管 伏安特性和单向导电特性 Ｉ＝Ｉs(eU/UT-1) 二极管符号及交流等效电阻rd=26mv/IQ 三、三极管 三极管符号及结构 三极管四种工作状态及放大的条件 三极管各极电流分配关系 三极管特性曲线（输入和输出特性曲线） 放大器基础 一、共射极放大电路 简单偏置 分压式稳定偏置电路 二、放大电路的分析和计算 要求： 1、计算静态工作点（不用图解法） 2、计算电压放大倍数 3、计算输入电阻和输出电阻 4、能画出h参数等效电路 三、共射和共集两种组态放大器的比较 四、放大器的频率特性 1、幅频特性和相频特性Aus=Auso/(1+jf/fh) 2、波特图——要求会画 场效应管及其放大电路 场效应管与晶体三极管的比较 三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件 三极管是双极性器件，而场效应管是单极性器件 反馈放大电路 一、反馈放大器的一般表达式 Af =A/(1+AF) 其中，（1+AF）称为反馈深度，F=Xf /Xo称为反馈系数，A称为开环增益、Af称为闭环增益，1+AF?1称为深度负反馈，此时，Af=1/F 二、反馈放大电路的基本类型及判别 重点———掌握反馈类型的判别方法 模拟集成电路 一、恒流源的特点 二、差动放大器及其抑制零点漂移的原理 零点漂移的概念 差模信号和共模信号的计算 共模抑制比的概念 差动放大器抑制零点漂移的原理 三、集成运放的组成及基本应用 理想集成运放的四个条件 基本放大电路及线性运算电路的计算 模拟乘法器及其非线性运算电路 功率放大器 一、功率放大器的特点和分类 二、OCL电路的计算：主要掌握PO、PE、PC、η的计算 第八章 正弦波振荡电路 一、振荡电路工作的起振条件和平衡条件 二、LC反馈型正弦波振荡电路的类型 三、石英晶体振荡电路 并联型 串联型 第九章 振幅调制与解调 一、信号的三种调制方式————调幅、调频、调相 二、振幅调制的分析和计算 表达式及波形 频谱与带宽 调幅波的功率 三、振幅检波： 了解检波原理 ▲说明：第七、十、十一章本次考试不作要求  ?模拟电子技术?练习题 填空题　 1、PN结具有 特性，PN结的伏安特性方程式为 。 2、纯净的半导体单晶称为本征半导体，它有两种载流子，即带负电的__________和带正电的_________,由于两者的________相反、___________相等,所以半导体是呈电中性的。 3、本征半导体受外界能量激发，同时产生____________的过程,称为本征激发；其相反的过程称为______________。 4、杂质半导体内的多数载流子与少数载流子的浓度主要由___________________________ 与________________________决定。 5、半导体中载流子在电场力作用下做定向运动所形成的电流称为__________电流。其中,自由电子____________着电场方向运动；空穴_____________着电场方向运动。 6、作为放大器件三极管的内部结构必须具备三个特点：一是_______________________,二是___________________,三是___________________________；而且还应具备一定的外部条件,这就是________________________和_____________________________。 7、基本放大器电路中,若静态工作点Q设置过高,有可能出现__________失真，若Q点选择过低,则容易出现_____________失真。 8、场效应管是 控制的 型器件；三极管是 控制的 型器件。 9、反馈放大器的基本方程式是________________________,其中__________________叫做反馈深度,在深度负反馈的条件下其闭环增益为____________________。 10、恒流源电路的特点是交流动态电阻___________,直流静态电阻_____________,我们常将它用作偏置电路和____________________。 11、在并联型晶体振荡电路中,石英晶体等效为______________；在串联型晶体