2012年电子电工类对口高考冲刺模拟试卷四.docVIP

电子电工专业综合理论试卷 一、选择题 1、电路如图1-1所示，则电压源功率为 。 A．产生132W B．吸收132W C．产生108W D．吸收108W 2、电路如图1-2所示，电源电动势E=12V，r=1Ω，电阻R1=3Ω，R2=2Ω，R3=5Ω，电容C1=4μF，C2=1μF，则C1，C2所带电量之比为 。 A．3：2 B．5：3 C．5：4 D．8：5 3、电路如图1-3所示，L1、R1支路的功率因数是cosφ1，L2、R2支路的功率因数是cosφ2，cosφ1cosφ2，则整个电路的功率因数cosφ为 。 A．cosφcosφ1cosφ2 B．cosφ1cosφ2cosφ C．cosφ1cosφcosφ2 D．cosφ=cosφ2 4、如图1-4所示变压器电路，N1=N2，当开关S闭合时，两个相同的灯泡D1、D2出现的现象是 。 A．D1、D2都不亮 B．D1、D2渐亮后并保持不变 C．D1、D2立即亮 D．D1渐亮、D2由亮变暗再灭 5、一个电压源的电压us（t）=100sin100πt+sin300πt（V），将L=1/π（H）的电感元件接到该电压源，则流经该元件电流的三次谐波振幅与基波振幅之比为 。 A．1：60 B．15：100 C．100：15 D．60：1 6、电路如图1-5所示，开关S由闭合到断开，A点电位的变化为 。 A．10V变为6V B．10V变为0V C．-16V变为0V D．-6V变为6V 7、图1-6中转移特性曲线1、2、3所对应的场效应管的类型分别是 。 A．耗尽型NMOS、N沟道结型、增强型NMOS B．N沟道结型、增强型NMOS、耗尽型NMOS C．N沟道结型、耗尽型NMOS、增强型NMOS D．增强型NMOS、N沟道结型、耗尽型NMOS 8、在PNP管组成的单级共发射极固定偏置放大器中，当输入1KHz的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平失真，这种失真是 。 A．饱和失真 B．截止失真 C．交越失真 D．频率失真 9、电路如图1-7所示，二极管均为理想的，则Vo的值为 。 A．6V B．8V C．0V D．-12V 10、某OTL功放电路的电源电压为20V，设中点电压偏离正常值，等于6V，在理想情况下，该电路的最大不失真输出电压的振幅值为 。 A．8V B．6V C．12V D．28V 11、一个512位移位寄存器用作延迟线。如果时钟频率是4MHz，则数据通过该延迟线延迟的时间为 。 A．128μS B．127.75μS C．256μS D．125μS 12、译码器显示实验电路如图1-8所示，数码管为LED，QA～QD为8421BCD码。若QA～QD输入 0111，则 。 A．数码管为共阳极，译码器输出只有a、b、c为低电平。 B．数码管为共阳极，译码器输出只有a、b、c为高电平。 C．数码管为共阴极，译码器输出只有a、b、c为低电平。 D．数码管为共阴极，译码器输出只有a、b、c为高电平。 13、如图1-9所示电路，Y与A、B的逻辑关系为 ： A．Y=AB B．Y=A+B C． D． 14、若保留n位有效数字，第(n+l)位及其以后的数字量如大于第n位的单位的一半就 。A．向n位进l???? B．舍掉???? C．采用偶数法则 D．采用奇数法则 15、在用李沙育图形法测相位时，示波器应选扫描方式。A. 连续?????????????? B. 触发 C. 不?????????????????? D. 交替.46V。S＜0时，异步电机处于 A．电动机运行状态 B．发电机运行状态 C．启动状态 D．电磁制动状态 三相异步电机转子电阻增大时，电机临界转差率Sm和最大转矩Mmax应为 A．Sm减小，Mmax增大 B．Sm增大，Mmax不变 C．Sm减小，Mmax不变 D．Sm增大，Mmax减小 当负载不变时，下面哪一项不会影响直流电动机的转速。 A．电磁转矩 B．电源电压 C．主磁通 D．电枢电阻 异步电机要实现回馈制动，则应满足如下条件。 A．转子转速小于旋转