脉冲激光作用硅锗合金形成多种捕获界面态 - 河北师范大学学报.pdfVIP

第33 卷/第1 期/ 河北师范大学学报/自然科学版/ Vol.33 No.1 2009 年1 月 JOURNALOFHEBEI NORMAL UNIVERSITY/Natural Science Edition/ Jan.2009 脉冲激光作用硅锗合金形成多种捕获界面态 1, 2 2 2 2 3 韩志嵘 , 　黄伟其, 　王海旭 , 　金　锋, 　刘世 (1.贵阳学院 物理与电子信息科学系, 贵州 贵阳　550005;2.贵州大学理学院光电子及其应用重点实验室, 贵州贵阳　550026; 3.中国科学院 贵阳地球化学所电镜室, 贵州 贵阳　550003) 摘 要:用脉冲激光辐照和退火氧化处理在硅锗合金衬底上形成了具有不同界面态分布的氧化低维结构.在 这些结构中都有在几个纳米的氧化层中约束了大量的硅和锗的纳米团簇结构, 分析这些低维结构所产生的光致荧 光(PL)光谱发现, 由于氧化条件的不同所生成的这些结构对应的PL 光谱无论是强度, 还是频率都发生了显著的 变化.用量子受限-硅锗与氧化物界面态综合模型解释了样品PL 发光的变化. 关键词:氧化结构;光致发光;硅锗薄膜;激光辐照;界面态 + 中图分类号:O 472 3　　　文献标识码:A 　　　文章编号:1000-5854 (2009)01-0050-05 低维结构的硅和锗, 如多孔硅、硅纳晶、锗纳晶等被广泛研究, 它们的发光性质得到一定的改善, 发出的 PL 光谱范围从红外到可见光.PL 光谱产生的物理机制一直是人们所探讨的问题, 目前, 大部分研究者普遍 认为, 当纳米硅晶粒尺寸小于5 nm 时, 可见光区域内的PL 光谱的产生主要是由于低维纳米结构的量子受 [ 1] 限效应造成的能隙展宽而引起的 .但是, 一些实验结果很难单独用量子受限效应模型来解释, 例如, 很多 工作组在实验中发现随着纳米晶粒的不断减小, 甚至低于3 nm, PL 光谱却在2.1 eV 附近不再增加[2～7] .这 [4, 5] 与量子效应理论所预测的当晶粒尺寸低于2 nm 时造成的能隙展宽应该超过3 eV 的结果是相矛盾的 .最 [8～ 15] [5] 近的研究表明:无论是纳晶硅还是多孔硅发光, 氧在其中起着关键的作用 .Wolkin 等 通过研究表明, 氧化后样品PL 光谱的红移是由于俘获激子复合产生的, 并且用它可以解释实验中观测到的拉曼频移和PL 光谱能量上限(2.1 eV )现象, 这些结果都与纳米晶粒的尺寸是无关的.他们认为载流子是被 S O 键所捕获 [5] 的 , 并且与实验结果得到了很好的一致性.同时, 别的工作组在纯氧环境下观测到PL 光谱红移的结果也 证明了其他键(例如Si O H 键)对PL 发光没有作用. 本文中, 笔者用脉冲激光辐照和退火氧化处理在硅锗合金衬底上形成了具有不同界面态分布的氧化低 维结构.在这些结构中都有在几个纳米的氧化层中约束了大量的硅和锗的纳米团簇结构, 而激光的辐照和退 火氧化影响纳米晶粒与氧化硅的形成与分布.分析这些低维结构所产生的光致荧光(PL )光谱发现, 由于氧 化条件的不同所生成的这些结构所对应的PL 光谱无论是强度, 还是频率都发生了显著的变化, 特别是捕获 界面态的能级分布随着激光的辐照和退火处理条件的改变而改变, 从而产生不