钻石薄膜的传热与应用.pdfVIP

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  • 2017-09-02 发布于天津
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钻石薄膜的传热与应用

鑽石薄膜的傳熱與應用 摘要 鑽石是目前已知自然界最堅硬的物質,擁有最大的抗磨耗能力, 同時又是傳熱最快的晶體,它的導熱係數是銀的六倍、銅的七倍,可 利用它此特性,並加上低壓氣體所成長薄博的一層鑽石膜,且滲以雜 質,就可以做為新一代的電子元件的基礎材料-鑽石半導體。 關鍵字:鑽石傳熱、鑽石薄膜。 一、 鑽石簡介 鑽石的正式學名是金剛石(diamond ),它是目前已知自然界最堅 硬的物質,具有最大的抗磨耗能力,同時也是導熱最快的晶體,它的 傳熱速率比導熱最快的金屬如銀、銅等還要快上六、七倍之多,是極 重要的工業、軍事及國防材料。由於鑽石同時具備了很高的折射率 (2.42 ,玻璃只有1.5 )與很高的色散(把白光分散為彩虹色光的能 力),因此幾千年來一直是人類社會的珍貴寶石。時至 21 世紀的今 天,鑽石仍然是女孩的最佳朋友,同時也被認為是男女之間永恆愛情 的象徵。 由於鑽石的經濟價值及稀少性,自從譚能特發現鑽石其實和石墨 都是碳元素的結晶以來,不少科學家和業餘人士都努力嘗試以人工方 法製造鑽石晶體。歷史上曾有不少人自稱成功地合成出鑽石,然而後 來的科學檢驗證實,在譚能特認為鑽石就是純碳結晶以後的 150 年 間,並沒有任何一個人能製造出一顆人工鑽石晶體。雖然如此,失敗 的確是成功之母,前人的嘗試、努力與失敗的經驗,的確為後來的人 造鑽石工業建立了堅固的基石。 二、 鑽石的傳熱性質 說起來也蠻奇特,除了IIb鑽石是半導體外,其他的各類鑽石都是 電的絕緣體,但是所有鑽石都是傳熱高手。金屬導電和傳熱靠的是外 圍電子,但鑽石的外圍電子都用在鍵結上,沒有多餘的外圍電子可用 來導電,因此IIb以外的鑽石都不導電。鑽石傳熱靠的不是外圍電子, 而是聲子(phonon )。當物質的成分越單純、結構越簡單、雜質越少 時,聲子運動就越快,傳熱速率也就越快。鑽石的組成只有單一元素 碳,結構也十分簡單。Ia 、Ib 、IIa及IIb 4種鑽石中,IIa最純淨、雜質 最少,因此擁有最高的傳熱速率,導熱係數高達26watt/K-cm ,比傳 熱最快的金屬銀、銅還要快6 ∼ 7 倍。I I b 鑽石含有少量硼雜質,導 熱係數仍有15watt/K-cm 。第1類鑽石雜質含量較高,依雜質含量高 低,導熱係數在9∼20watt/K-cm之間。 三、 化學氣相沉積法 在 1960 年代初期,美國人愛佛索(William G. Eversole )與俄國 人狄亞金(Boris V. Derjaguin )分別獨立研發出鑽石的低壓介穩合成技 術。但這種鑽石合成法在當時由於技術尚未成熟,而且高溫高壓觸媒 法已經進入生產線開始量產,因此並未受到太多的重視。一直到 1980 年以後,日本、歐洲、臺灣以及美國相繼投入研發,到 2000 年時已 有部分技術應用於工業界。這裡所稱的低壓,大約從接近真空到 100 torrs (一大氣壓= 760 torrs )左右,這原本是石墨晶相的壓力範圍, 居然也可以生長出鑽石,的確有些奇特。 因為不是在鑽石的穩定壓力下培育鑽石,所以稱為介穩定合成技 術。它的主要原理是把含碳氣體如甲烷(CH4 )以及氫氣通入低壓的 反應室,在反應室內 CH4 透過高溫(約攝氏 2,000 度的鎢絲)或微 波的裂解生成CH3 、CH2 、CH ,乃至於碳原子,這些碳或碳氫基沉積 在溫度較低(攝氏 900 度或更低)的基板上面,基板可以是鑽石晶 種、各類金屬、玻璃、矽晶片或其他材料。沉積到基板上的碳除了形 成 sp2 鍵外,也會形成 sp3 鍵,因此鑽石與石墨會同時生長在基板 上。 雖然高溫氫氣裂解所產生的氫原子會侵蝕鑽石及石墨晶體,但是 氫原子侵蝕石墨的速率遠超過侵蝕鑽石的速率,或者說在氫原子環境 下鑽石比石墨穩定,因此經過一段時間的培育,基板上便長出鑽石薄 膜。這種鑽石薄膜的生長速率一般是每一小時一微米左右,厚度可以 由 10 微米到一毫米。順便一提的是,太空中所發現的奈米鑽石的形 成機制,有不少人把它歸類於化學氣相沉積的生長機制。 四、 鑽石薄膜的應用 化學氣相沉積的鑽石薄膜培育技術,為人類帶

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