浙江大学微电子与光电子研究所张睿博士在日本期间 - 浙江大学信电系.pdfVIP

浙江大学微电子与光电子研究所张睿博士在日本期间的研究工 作 “R. Zhang, P-C. Huang, J-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi. High Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO /Al O /GeO /Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation. 2 2 3 x IEEE Trans. Electron Device. , Vol. 60, no. 3, pp. 927-934 (2013).”获得 2013 年IEEE 电子器件分会Pual Rappaport 奖。 Pual Rappaport 奖是由 IEEE 电子器件分会颁发的两大年度最佳 成果奖项之一，在世界范围内每年选出1 人，表彰其在电子器件领域 所做出的转折性贡献，是电子器件领域的最高奖项之一。 在该项研究中，张睿博士首次开创了利用等离子体后氧化法实现 高质量超薄锗基栅极和锗沟道场效应晶体管的方法。由于很高的理论 电子和空穴迁移率，锗晶体管被视为在未来CMOS 技术中替代硅晶 体管最有希望的候选者。但是如何获得同时具有优异电学性能和超薄 厚度的锗基栅极，一直是制约锗晶体管产业化的瓶颈。张睿利用氧等 离子体穿透高介电常数 HfO /Al O 栅氧层生成极薄氧化锗进行界面 2 2 3 钝化的方法，在保持超薄厚度的情况下，获得了具有优异电学性能的 HfO /Al O /GeO 锗基栅极（图1）。 2 2 3 x 图1：利用等离子体后氧化法制备的HfO /Al O /GeO /Ge 栅极。 2 2 3 x 利用这一超薄锗基栅极，在最薄的栅氧等效氧化层厚度（EOT ） 下，实现了具有最高的电子和空穴迁移率的高性能锗基p 型和n 型沟 道场效应晶体管（图 2 ），打破了锗晶体管的世界纪录，并且在世界 上第一次实现了超薄栅极情况下同时超越硅晶体管电子和空穴迁移 率的锗晶体管 （图3 ）。 2 15 15 10 EOT=0.76 nm W/L=30 m/5 m EOT=0.76 nm 1 10 V -V =0~-1 or 1 V g th I d 0 ) ) 10 10 10 m Step=-0.2 or 0.2 V (