复合沟道MOSFET.PDF

复合沟道 MOSFET ELM34601AA-N ■概要 ■特点 ELM34601AA-N 是低输入电容、低工 N 沟道 P 沟道 作 电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-6A ·Rds(on) 2 1m Ω(Vgs=10V) ·Rds(on) 35m Ω(Vgs=-10V) ·Rds(on) 32m Ω(Vgs=4.5V) ·Rds(on) 60m Ω(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 如没有特别注明时, Ta=25 ℃ 项目 记号 N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 30 -30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 ±20 V Ta=25℃ 7 -6 漏极电流 （定常） Id A Ta=70℃ 6 -5 漏极电流（脉冲） Idm 28 -24 A 1 Tc=25℃ 2.0 2.0 容许功耗 Pd W Tc=70℃ 1.3 1.3 结合部温度及保存温度范围 Tj,Tstg -55 ~ 150 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 记号 沟道 典型值 最大值 单位 备注 N 62.5 ℃/W 最大结合部 - 环境热阻 Rθja P 62.5 ℃/W 备注 : 1. 脉冲宽度受最