第一章简介11研究动机.PDF

第一章 簡介 1.1 研究動機 Si 是半導體領域中是最重要也是最常用到的元素 ，不論是在電腦中的中央處 理器和記憶體 ，還是時下最熱門的手機中的電子元件……等 ，都是要用到矽元素 的 。因此每年在全世界各地有關物理方面的會議中 ，矽元素相關應用的研究與技 術，總是不斷的進步和創新，這也是我們全球科技快速進步的主要動力來源。 本實驗室之前做過不少關於 Si(100)及 Si(111)上的一些相關研究，最常利用化學 氣相沈積法 (CVD ：chemical Vapor Deposition) 於 Si 樣品表面上成長不同的元素 或化合物，並使樣品溫度升高以觀察樣品表面的化學反應。 氫原子在半導體表面化學中有著重要地位，Si-H 的斷鍵研究對於化學氣相 沉積與原子蝕刻有著重要影響。所以研究氫氣在 Si 表面上的運動學以及動力學 機制一直是一個熱門的研究課題之一。對於 H ：Si(100)-3×1 與 2×1 的表面結構 已經有所了解 ，但是對於 H ：Si(100)-3×1 至 2× 1 的相變機制與 H 原子在 Si 表面 脫附詳盡的動力學機制一直是個謎，本實驗即是曝氫氣在 Si 表面到 400 K 以形 成 H ：Si(100)-3×1 結構 ，發現到加熱到 583 K 時表面結構會相變成 H ：Si(100)-2×1 ，再利用掃描穿隧顯微術 (Scanning Tunneling Microscopy 簡稱 STM) 觀察 H 原 子在表面上的反應與鍵結來詮釋相變的機制，同時我們也發現到 Si 原子表面發 生的蝕刻變化 ，進而產生單原子缺陷 (SV ；single vacancy) 與雙原子缺陷 (DV ； double vacancies) 。從表面的原子移動與鍵結而產生結構的變化中 ，進而發現許 多有趣的物理。 1 1.2 矽晶體結構 矽的晶體結構為鑽石結構 ( Diamond Structure ) 空間晶格是 fcc ，如圖1.2.1 所示，其晶格常數 a = 5.43 Å ( 1 Å ﹦ 10−10 m ) 為傳統立方晶胞的邊長；在週 期表上，Si 是四價元素，所以它是四面體的共價鍵結。將矽晶體沿著[100]方向 切割，則這個新產生的切割面就是我們要的 Si(100)表面，如圖 1.2.2 所示。 1 0 2 0 3 1 4 4 1 1 2 0 2 1 3 4 4 1