电力电子第五版第4讲_5概要1.ppt

2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4 典型全控型器件 引言 ■门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。 ■20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个 崭新时代。 ■典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、 电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 2.4 典型全控型器件 引言 ■单极型 ◆绝缘栅型场效应管：功率MOSFET ◆ 结型场效应管：静电感应晶体管(SIT) ■双极型 ◆电力晶体管（GTR/BJT） ◆门极可关断晶闸管（GTO） ◆静电感应晶闸管（SITH） ■复合型 ◆绝缘栅型双极晶体管(IGBT): MOSFET +GTR ◆ MOS控晶闸管(MCT): MOSFET +SCR 2.4.1 门极可关断晶闸管（GTO） ■晶闸管的一种派生器件，但 可以通过在门极施加负的脉冲 电流使其关断，因而属于全控 型器件。 ■GTO的结构和工作原理 ◆GTO的结构 ?是PNPN四层半导体结 构。 ?是一种多元的功率集成 器件，虽然外部同样引出一个 极，但内部则包含数十个甚 至数百个共阳极的小GTO 元，这些GTO元的阴极和门 极则在器件内部并联在一起。 2.4.1 门极可关断晶闸管 ■门极可关断晶闸管具有SCR的优点：耐压高、通流大； 也有GTR的优点：自关断能力。 ■在结构上，GTO与SCR一样，如图2-14示，但也有自己的特殊结构，目的在于实现门极可关断。 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.1 门极可关断晶闸管 ?GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的， 只不过导通时饱和程度较浅。 ?而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽 出电流，当两个晶体管发射极电流IA和IK的 减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。 ?GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管 开通过程更快，承受di/dt的能力增强。 2.4.1 门极可关断晶闸管 ■GTO的动态特性 ◆开通过程与SCR类似。 ◆关断过程 ?储存时间ts 下降时间tf 尾部时间tt ?通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 ?门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡， ts就越短。使门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍能保持适当的负电压，则可以缩短尾部时间。 2.4.1 门极可关断晶闸管 ■GTO的主要参数 ◆GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相同。 ◆最大可关断阳极电流IATO ?用来标称GTO额定电流。 ◆电流关断增益?off ?最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。 ??off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。 ◆开通时间ton ?延迟时间与上升时间之和。 ?延迟时间一般约1~2?s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而 增大。 ◆关断时间toff ?一般指储存时间和下降时间之和，而不包括尾部时间。 ?储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s。 ■不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管。当需要承受反向电 压时，应和电力二极管串联使用。 2.4.2 电力晶体管 ■电力晶体管（Giant Transistor—GTR） 按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT） ■GTR的结构和工作原理 ◆与普通的双极结型晶体管基本原理是一 样的。 ◆最主要的特性是耐压高、电流大、开关 特性好。 2.4.2 电力晶体管 ◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集 成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成 的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 2.4.2 电力晶体管 2.4.2 电力晶体管 ■GTR的基本特性 ◆静态特性 ?在共发射极接法时的典 型输出特性分为截止区、放 大区和饱和区三个区域。 ?在电力