使用KeysightB1500A测量CNTFET和CNTSET.PDF

是德科技 使用Keysight B1500A 测量 CNT FET 和CNT SET 应用指南 引言 Keysight B1500A 半导体器件分析仪 国外的碳纳米管(CNT) 结构让科学界产生了极大的兴趣。碳纳米管有很多潜在应用，但当前纳米 技术研究的重点大多集中在电子元件结构上，例如碳纳米管场效应晶体管(FET) 和碳纳米管单电 子晶体管(SET) 。 多年来，Keysight 4155C 和 4156C 实际上已经成为表征半导体器件的行业标准测试仪器。而 且，它们还是表征纳米技术器件的有效工具。不过，在分析纳米技术器件的电子属性时，新型 Keysight B1500A 半导体器件分析仪也是极好的仪器，并且它还具有4155C 和4156C 所不具备的 优点。 本应用指南以日本大阪大学的 K. Matsumoto 教授所做的一项研究为基础。Matsumoto 教授以 4156C 精密半导体参数分析仪为测量工具，重点研究手征性是如何决定碳纳米管场效应晶体管 (CNT FET) 及碳纳米管单电子晶体管(CNT SET) 的电子属性的。新型B1500A 同样适用于这项研究， 且B1500A 还具备其他优点，例如它有一个包含进行测量所必需的应用测试的应用程序库。 碳纳米管也被作为特大规模集成(ULSI) 互连材料而进行研究，因为碳纳米管可以支持极高的电流 密度( 比铜的大一千倍) ，并具有很高的热传导性( 比铜的大十倍) 。碳纳米管还可作为场发射显 示器电源，而其近亲—碳纳米角，则有可能是构造燃料电池的好材料。对于表征这些基本的碳 纳米结构来说，B1500A 是极佳的工具。 03 | Keysight | 使用Keysight B1500A 测量CNT FET 和CNT SET －应用指南 碳纳米管的电子属性由手征性决定 碳纳米管既可作为导体，又可作为半导体。碳纳米管的性能由其手征性决定，而其手征 性则由纳米管的角度和直径决定。通过在电场作用下使用模式催化剂和化学气相沉积， 已经可以成功地控制碳纳米管的模式。 图1 是碳纳米管场效应晶体管(CNT FET) 结构的电子显微镜扫描图像，显示了高 10 倍 的饱和性能。 图2 是通过扫描漏极电压而获得的、流经碳纳米管沟道的漏极电流- 电压曲线图。依 靠碳纳米管的手征性，这些器件可以用来显示碳纳米管的场效应晶体管(CNT FET) 性能 ( 左) 或其电阻性能( 右) 。这表明对碳纳米器件的电性能而言，控制手征性至关重要。 该简单碳纳米管的一个变体是单壁碳纳米管(SWCNT) ，单壁碳纳米管可以通过改变沉 积情况来制造。本应用指南以单壁碳纳米管(SWCNT) 为重点，且之后提到的所有碳纳 米管器件均为单壁碳纳米管(SWCNT) 器件。 源极 漏极 碳纳米管 图1. 碳纳米管场效应晶体管(CNT FET) 的电子显微镜扫描图 ) ) A A μ μ ( ( 流 流 电 电 极 极 漏 漏 漏极偏压(V) 漏极偏压(V) 图2. 两幅漏极电流- 电压曲线图，左图显示了CNC FET 的性能，右图显示了其电阻性能。 04 | Keysight |