电子迁移率散射的两个原因1、晶格散射晶格振动引起的散射叫做晶格 .ppt

2.1电导的物理现象和基本概念 欧姆定律示意图 电导的物理现象: 电子电导 离子电导 电导的宏观参数 直流四端电极法 适用于中高电导率的材料，能消除电极非欧姆接触对测量结果的影响。 电导的宏观参数 在室温下测量电导率常采用简单的四探针法 电导的基本概念 电导的宏观参数 E：V/cm 欧姆定律的微分形式: 电导率： 电阻率： 载流子迁移率: 2.2 电子电导 微观机理 纯金属ρ: 10-8 ～10-7 Ω ·m. 合金ρ: 10-7 ～10-5 Ω ·m . 半导体ρ: 10-3 ～109 Ω ·m . 绝缘体ρ: ﹥109 Ω ·m . 材料的分类: 思考: 是什么原因导致物质导电性能如此大的差异? 其微观本质是什么? 电子导电的物理本质 经典自由电子模型 在E作用下，电子加速度a为： ? 松驰时间,与晶格缺陷及温度有关 2.2 电子导电机理 经典自由电子导电理论： 金属晶体: 局限性: 离子点阵形成的均匀场 + 自由电子气 不能解释二三价金属的导电性反而 比一价金属还差的事实.也不能解释超导性. 量子自由电子理论 泡利不相容原理：电子具有不同能量状态。 费密能：0K 时电子具有的最高能态。 量子电子论：在离子所产生的均匀势场下，只有EF附近电子才参与导电。电子波在传播中被离子散射，相互干涉形成电阻，散射几率1/t。 E K 金属及半导体的导电机制 E K 绝缘体 半导体 Eg 导体 Eg E 禁带 Eg 允带 （价带） 允带 （导带） 能带理论 导带：具有空能级的允带。 禁带：能带间的能隙所对应的能带。 价带：基本填满的满带。 量子力学理论 电子迁移率 m*电子的有效质量 电子迁移率 m*电子的有效质量 自由电子 晶体中的电子 m*决定于电子 与晶格的相互作用强度 量子力学理论 Calculated Energy Band of Ni-doped ZnO Spin-resolved DOS and Energy Band of Fe-doped ZnO 计算的 Bcc Fe(001) 能带结构 Fe(100)的光电子能谱 电导的基本概念：导电性 电导率： 电阻： 电阻率： 欧姆定律: E：V/cm 电子迁移率 散射的两个原因 1、晶格散射 晶格振动引起的散射叫做晶格散射；温度越高，晶格振动越强对载流子的晶格散射也将增强，迁移率降低。 2、离子杂质散射 离子杂质散射 的影响与掺杂浓度有关，掺杂越多，载流子和电离杂质相遇而被散射 的机会也就越多。温度越高，散射作用越弱。高掺杂时，温度越高，迁移率越小。 理想晶体点阵: ρ=0 (T=0 K) 实际晶体: 电子散射和声子散射+杂质和缺陷散射 固溶体电阻率ρ=基本电阻ρ(T)+残余电阻率(ρ残) 马基申定律: ρ=ρ(T)+ρ残 残余电阻率(ρ残): 反映金属的纯度和完整性 ρ(300 K)/ρ(4.2 K) 金属及合金的电阻 载流子浓度 根据能带理论，只有导带中的电子或价带之间的空穴才能参与导电。 金属、半导体和绝缘体的能带结构 杂质半导体中的载流子浓度 Ef Ec ED Ev + + Ef Ev Ec EA n型半导体 p型半导体 n型与p型半导体能带结构 施主能级 受主能级 载流子浓度 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体的能带结构