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矽、锗超晶格样品之拉曼光谱研究
矽、鍺超晶格樣品之拉曼光譜研究
Raman study of Ge/Si(100) superlattices
指導教授 ：賈至達 博士
研究生 ：林建宏
日期：中華民國 九十一年 六月
摘要
• 超晶格Si 、Ge層厚度：Rytov理論模
型及光彈力學
• 超晶格鍺層粗糙程度
• E1能帶：連續性散射理論與螢光光譜
• FAP和Optical Phonon ：變溫拉曼光譜
• 結論
矽、鍺超晶格樣品
19
週
期
[100]
樣品編號 Ge層成長時間（秒） 溫度（℃）
21 8 350
22 10 300
23 12 250
H. H. Cheng, C. -T. Chia, et.al. Thin Solid Films, 369, 182~184. (2000)
拉曼光譜儀的裝置
主要雷射：
Ar+ Laser
457nm
476nm
488nm
514.5nm
He-Ne Laer
632.8nm
DDP YAG
Laser
532.22nm
樣品拉曼光譜
Sam ple 21 514.5nm 300K
4000
-1
G e-G e 313cm
FAP
3500
-1
Si-S
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